일반기술

스퍼터링증착법을 이용한 산화아연막의 제조방법

본 기술은 스퍼터링 장치를 이용하여, 진고조의 내부에 ZnO막을 형성하는 방법을 제공한다. 스퍼터링 장치는 진공조의 내부에 ZnO타깃과, 상기 ZnO 타깃으로부터 이격되어 대향하도록 배열된 사파이어 기판을 구비한다. 또한 스퍼터링 장치는 플라즈마를 발생시키는 작용을 한다. 본 기술은 상기와 같은 방법에 따라 스퍼터링법을 이용하여 고품질의 에피택시(Epitaxy) 막을 형성하는 방법을 제공하는 것을 목적으로 한다.ZnO타깃을 제공하여 스퍼터링장치내에 사용가스에 노출시키는 단계; 적어도 하나의 반응성가스를 상기 스퍼터링장치에 공급하는 단계; 전원을 상기 스퍼터링장치에 공급하여 플라즈마를 형성하는 단계; 상기 플라즈마의 작용에 의하여 25∼350℃온도에서 사파이어 기판상에 ZnO막을 1∼200Å두께로 증착하는 단계; 및 상기 증착단계이후에 기판의 온도를 400∼700℃로 상승시킨 후 상기 1차 ZnO막위에 ZnO막을 1Å~5㎛ 의 두께로 증착하는 단계를 포함한다.