일반기술

유기금속 화학증착법에 의한 산화마그네슘계 박막 형성 방법

본 발명은 유기금속 화학증착법에 의한 산화마그네슘계 박막의 제조방법에 관한 것으로서, 마그네슘-함유 유기금속 및 산소-함유 기체 또는 유기물을 반응기에 주입시키면서 10-3 내지 760 mmHg의 압력, 200 내지 700℃의 내부온도 조건하에서 다양한 기재 위에 막을 성장시키는 것을 포함하는 본 발명에 따른 유기금속 화학증착법에 의하면, 결정형 기재뿐만 아니라 무정형 기재상에서도 결정성이 우수한 산화마그네슘계 박막을 성장시킬 수 있다.본 발명에 따라 형성된 산화마그네슘계 막은 결정형 기재뿐만 아니라 무정형 기재상에서도 결정성이 우수한 박막으로 성장하여 다양한 광소자 및 전자 소자에 효율적으로 사용될 수 있으며, 본 발명의 방법에 의하면 이러한 우수한 특성의 산화마그네슘 박막을 대량으로 제조할 수 있다.본 발명에 사용되는 유기금속 화학증착 장치의 개략도로서, 본 발명의 산화마그네슘계 박막 제조방법에 따르면, 유기금속과 산소함유 물질을 별개의 라인을 사용하여 증착 장치내로 도입하고 장치를 상압 또는 저압, 및 200 내지 700℃로 유지하면서 산화마그네슘 박막의 증착을 수행할 수 있다.본 발명에 사용되는 마그네슘-함유 유기금속으로는 비스사이클로펜타다이에닐마그네슘(bis-cyclopentadienyl-Mg,(C5 H5 )2 Mg), 비스메틸사이클로펜타디에닐마그네슘(bis-methylcyclopentadienyl-Mg, (C 6 H7 )2 Mg), 비스에틸클로펜타디에닐마그네슘 (bis-ethylcyclopentadienyl-Mg, (C 2 H5 C5 H4 )2 Mg), 비스펜타메틸클로펜타디에닐마그네슘(bis-pentamethylcyclopentadienyl-Mg, [(CH 5 )3 C5 ]2 Mg), 마그네슘 아세테이트 (Mg(OOCCH3 )2 ·2H2 O),마그네슘 아세테이트 무수물(Mg(OOCCH3 )2 ) 및 마그네슘 아세틸아세토네이트(Mg(C5 H7 O2 )2 ·H2 O) 등을 들 수 있다. 이들 유기금속들의 기화온도는 20 내지 50 ℃의 범위를 갖는다. 상기 유기금속은 기화된 후, 운반기체로서 비활성기체, 예를 들면 아르곤에 의해 증착 장치내로 도입된다. 또한, 본 발명에 사용되는 산소-함유 기체로는 O2 , O3 , NO2 , 수증기 및 CO2 등을 들 수 있으며, 산소-함유 유기물로는 메틸에틸케톤(C4 H8 O) 등이 있다.