일반기술

유기금속 화학증착법에 의해 형성된 산화아연마그네슘박막 및 이의 제조방법

본 기술은 유기금속 화학증착법에 의한 산화아연-마그네슘 박막의 제조방법에 관한 것으로서, 아연-함유 유기금속 및 마그네슘-함유 유기금속, 및 산소-함유 기체 또는 유기물을 별개의 라인을 통해 반응기에 주입시키고, 10-3 내지 760 mmHg의 압력, 200 내지 800℃의 내부온도를 갖는 반응기 조건하에서, 상기 반응물질들의 유량을 각각 0.1 내지 10 sccm, 5 내지 50 sccm 및 20 내지 100 sccm의 범위로 조절함으로써 마그네슘의 몰분율을 제어함을 통해 기재 위에 상기 박막을 성장시키는 것을 포함하며, 본 기술에 따른 유기금속 화학증착법에 의하면, 대량생산이 가능하고 결정성이 우수한 산화아연-마그네슘 박막을 제조할 수 있다.본 기술의 유기금속 화학증착법에 의해 형성된 ZnMgO 박막은, Mg을 첨가함에 따라 큰 변화 없이 밴드갭이 증가되고, Mg을 적어도 47%까지 함유하면서도 상분리가 일어나지 않으며, Mg의 몰분율을 조절함으로써 원하는 파장대의 광검출 및 발광 소자로서 사용될 수 있으며, 나아가 ZnO/ZnMgO와 같은 이종접합구조를 갖는 양자 우물 구조를 이용함으로써 전자를 효율적으로 구속시켜 발광효율을 증대시킬 수 있다. 본 기술의 목적은 아연-함유 유기금속, 마그네슘-함유 유기금속, 및 산소함유 기체 또는 유기물을 각각 반응기에서 별도의 라인을 통해 유량을 조절하여 주입하면서 200 내지 800℃의 온도, 10 -3 내지 760 mmHg의 압력 조건에서 화학적 증착법에 의해 Zn1-x Mgx O 박막을 대량으로 제조하는 방법을 제공하는데 있다.