일반기술

이리듐 함유 게이트 전극을 갖춘 ＨＦＥＴ 소자 및 반도체소자와 이들의 제조방법

본 발명에 따른 반도체 소자는 기판과, 상기 기판 위에 형성된 제1 질화물계 반도체층으로 이루어지는 제1층과, 상기 제1층 위에 형성되고 상기 제1 질화물계 반도체층과는 다른 격자 상수를 갖는 제2 질화물계 반도체층으로 이루어지는 제2층과, 상기 제2층 위에 형성된 소오스 및 드레인 전극과, 상기 제2층 위에 형성되고, Ir 함유 물질로 이루어지는 게이트 전극을 포함한다. Ir 함유 물질로 이루어지는 게이트 전극을 형성하기 위하여, 먼저 상기 패터닝된 질화물계 반도체층 위에 Ir 함유 금속층을 형성한다. 그 후, 상기 Ir 함유 금속층을 열처리한다. 상기 Ir 함유 금속층의 열처리는 200∼600℃의 온도로 행해진다. 상기 Ir 함유 금속층의 열처리는 RTP 장치를 이용하여 행해지며,산소, 질소 또는 아르곤 분위기하에서 행해진다.본 발명의 목적은 상기한 종래 기술에서의 문제점을 해결하고자 하는 것으로, 높은 쇼트키 장벽 높이를 가지고 게이트 누설 전류를 큰 폭으로 낮출 수 있는 게이트 전극을 갖춘 반도체 소자를 제공하는 것이다. 다른 목적은 쇼트키 전극에서의 쇼트키 장벽 높이를 높이고, 게이트 누설 전류를 낮춤으로써 소자의 증폭효율 및 출력 특성을 개선할 수 있는 구조를 가지는 HFET 소자를 제공하는 것이다. 또 다른 목적은 높은 쇼트키 장벽 높이를 가지고 게이트 누설 전류를 큰 폭으로 낮출 수 있는 물질로 이루어지는 게이트 전극을 갖춘 반도체 소자의 제조 방법을 제공하는 것이다. 또 다른 목적은 소자의 증폭 효율 및 출력 특성을 개선할 수 있는 물질로 이루어지는 쇼트키 전극을 갖춘 HFET 소자의 제조 방법을 제공하는 것이다.