일반기술

자기저항소자

○ 기술발명의 목적: 본 발명은 자기저항 소자와 관련되어있으며, 보다 우월한 MR 특성과 열적인 안정성을 얻기 위하여 상지층과 하지층, 그리고 절연막의 구성에 대한 조정을 통해 자기 저항 소자의 특성을 개선하였다. 자기터널접합의 높은 자기저항비와 우수한 안정성을 얻기 위해 극박막의 안정한 절연층 형성기술 확보가 중요하다. 이에 본 특허는 기존의 Al-oxide barrier 에 비해 평활하고 균질한 계면을 형성하여 열적, 구조적, 전기적 안정성을 확보하여, 기존 Barrier 의 문제점을 개선하였다. 이러한 연구들은 국내외 IBM, AIST, 삼성 등에서 연구가 활발히 진행되고 있으며, 차세대 비휘발성 메모리 소자 개발의 주요 기술로서 활용가능성을 가지고 있다.○ 기술 요약 및 특징: 구조적, 열적, 전기적으로 안정한 새로운 배리어 재료 비정질 ZrAl 합금 박막 개발 - 9.89 at% Zr-Al 합금박막 균질한 비정질 구조 - 기존 결정질 재료보다 산화 시 결함이 적고 구조적으로 안정 - 높은 TMR 비를 확보 ○ 기술의 독창성: Al 산화물에 Zr과 Ti 을 첨가함으로서 균질하고 치밀한 미세구조를 인위적으로 제어한 점에서 아주 우수한 아이디어임 ○ 기술의 우수성: 기존의 Al-oxide 배리어를 사용한 MTJ보다 MR 특성 및 열적․전기적 안정성이 월등히 우수 ○ 기술의 활용 가능성: 신뢰성있는 소자제조와 열적, 전기적으로 안정한 MRAM 제작 및 자기 Head 등에 바로 응용이 가능하다. ○ 관련 유사기술과 비교한 시장 경쟁성: 최근 새로운 비휘발성 메모리나 차세대 자기기록 매체에 대한 연구가 진행 중이다. 이에 높은 MR 값과 열적, 전기적으로 안정한 신부도체는 충분한 경제성을 가진다고 사료된다. ○ 본 기술의 이전사업화 조건 등을 고려한 경제성 : 본 특허는 다른 기관과 연계되지 않아 기술이전사업화가 매우 용이함.