일반기술

전이 금속의 정공 주입층을 갖는 유기 발광 다이오드 및그 제조방법

본 발명은 유리 기판 상에 양극이 형성되어 있고, 상기 양극 상에 정공 주입층이 형성되어 있다. 상기 정공 주입층은 전이 금속층으로 구성할 수 있다. 상기 전이 금속층의 예로는 IR, RU, V, RH, NI 또는 CO막을 들 수 있다. 상기 정공 주입층 상에는 정공 수송층이 형성되어 있고, 상기 정공 수송층 상에는 발광층 및 음극이 순차적으로 형성되어 있다. 본 발명의 유기 발광 다이오드는 양극막과 정공 수송층 사이에 전이 금속층으로 정공 주입층을 형성하여 정공 주입 장벽을 낮추어 줌으로써 턴온 전압 및 작동 전압을 낮출 수 있다.본 발명이 이루고자 하는 기술적 과제는 양극과 정공 수송층 사이의 정공 주입 장벽을 낮추어줌으로써 턴온 전압 및 작동 전압을 낮추고 전자와 정공의 재결합을 증가시켜 내부 양자 효율을 증가시킬 수 있는 유기 발광 다이오드를 제공하는 데 있다.본 발명이 이루고자 하는 다른 기술적 과제는 상기 양극과 정공 수송층 사이의 정공 주입 장벽을 낮출 수 있는 유기발광 다이오드의 적합한 제조 방법을 제공하는 데 있다. 본 발명의 유기 발광 다이오드는 양극막과 정공 수송층 사이에 전이 금속층으로 정공 주입층을 형성하여 정공 주입 장벽을 낮추어 줌으로써 턴온 전압 및 작동 전압을 낮출 수 있다.