일반기술

낮은 유전상수(ε=2.0-2.3)를 가진 중합재료의 연구

초고주파 (gigahertz 범위)로 작동하고, 단위요소의 크기를 미크론 이하 수준까지 감소시키는 새로운 고속장치(chips)의 개발 방향은 상간에 낮은 유전상수를 가진 새로운 재료의 적용을 요구한다. 이러한 관점에서 가장 매력적인 것은 불소를 함유한 중합체이다. 특히 poly-α,α,α’,α’ -tetrafluoro-p-xylylene 과 유사한 구조를 가진 중합체이다. 이들 중합체들은 증착중합법(Vapor Deposition Polymerization, VDP)에 의하여 각종 기질에 박막형태로 합성된다. 이러한 이유와 관련하여 선구물질 1,,1,1,1,9,9,10,10-octafluoro[2.2]paracyclophane의 합성법을 개발하고, 수송 열중합법 (VDP법)의 특색, 중합조건에 따른 poly-α,α,α’,α’ -tetrafluoro-p-xylylene의 구조와 특성을 검토하는 것이 가장 매력적인 방법으로 생각된다.,VDP 에 의하여 합성된 중합재료를 마이크로 전자장치(chips)의 층간 유전재료로 사용