일반기술

ＧａＮ 나노막대를 이용하는 단결정 ＧａＮ 기판 제조방법

GAN 나노막대를 에피텍셜 성장시키고 그 다음에 GAN 나노막대를 씨앗층으로 하여 GAN 나노막대상에 두께 200 ΜM 이상의 GAN 후막을 성장시키면 GAN 후막도 GAN 나노막대와 동일한 방향으로 우선 배향된 에피텍셜층이 된다. 그 다음에 GAN 후막을 조심스럽게 분리해 내면 이를 차후에 GAN층을 에피텍셜 성장시키기 위한 기판으로 사용할 수 있다. GAN은 부르자이트구조를 가지는 질화물 반도체로서 InN및AIN와 전율고용체를 이루어 금지대폭의 조정이 가능하며 전율고용체의 전조성 범위 내에서 직접천이형 반도체의 특성을 나타내기 때문에 청색표시 및 발광소자재료로서 가장 각광 받고 있으며 에너지 밴드 갭이 크기 때문에 고온에서 안정한 동작을 기대할 수 있어 FET등 트랜지스터로의 응용도 활발히 되고 있다.본 발명은 GAN을 에피텍셜 성장ㅋ시키기 위한 GAN기판을 GAN나노막대를 이용하여 제조하는 방법을 제공하는데 있다.GAN기판 제조방법은 GaCIx 기체와 NH3 기체를 400내지 600℃의 온도범위에서 반응시켜 주기판 상에 GAN 나노막대를 성장시키는 단계;GAN 나노막대가 성장된 주기판 상에 GAN후막을 성장시키는 단계 및 GAN후막을 상기 주기판으로부터 분리시켜서 GAN 후막으로 된 기판을 얻는 단계를 포함하는 것이 특징이다.GAN나노막대를 에피텍셀 성장시키고 그 다음에 GAN 나노막대를 씨앗층으로 하여 GAN 나노막대 상에 GAN후막을 성장시키면 GAN후막도 GAN나노막대와 동일한 방향으로 우선 배향된 에피텍셜층이 된다. 따라서 GAN 후막을 조심스럽게 분리해 내면 이를 차후에 GAN층을 에피텍셜 성장시키기 위한 기판으로 사용할 수 있다.GACLX 기체와 NH3 기체를 400 내지 600 ℃의 온도범위에서 반응시켜 주기판 상에 GAN 나노막대를 성장시키는 단계; GAN 나노막대가 성장된 주기판 상에 GAN 후막을 성장시키는 단계; 및 GAN 후막을 주기판으로부터 분리시켜서 GAN 후막으로 된 기판을 얻는 단계; 를 포함하는 것을 특징으로 하는 GAN 기판 제조방법. GAN나노막대의 성장시간이 30분 내지 10시간인 것을 특징으로 하는 GAN기판 제조방법