일반기술

피플러스앤아이피앤플러스 진행파형 전계 흡수 광변조기

본 발명은 P+-n-i-p-N+ 진행파형 전계 흡수 광 변조기에 관한 것이다. 진행파형 전계 흡수 광 변조기(TW-EAM)에 있어서 중요한 요소로 마이크로웨이브와 광 파 사이의 속도 정합을 들 수 있다. 소자의 대역폭을 결정 짓는 중요한 요소이며, 여기서 광 파의 속도는 광을 가이드 하기 위해 사용한 물질에 의해 속도가 결정이 되므로 마이크로웨이브의 속도를 광 파의 속도에 정합 되도록 해야 한다. 기존 소자의 경우, 마이크로웨이브의 속도 정합을 위해 고려할 수 있는 설계 파라미터로는 진성 영역(i-층)의 두께, 소자 혹은 신호 전극의 폭과 두께, 신호 전극과 접지 전극간의 간격 등이며, 이런 파라미터를 조정해서 얻을 수 있는 속도 정합에는 그 한계가 있다. 이에 반하여 본 발명의 P+-n-i-p-N+ 진행파형 전계 흡수 광 변조기는 도핑차에 의해 형성된 P+-n층 사이의 공핍층과 p-N+층 사이의 공핍층에 의해 전체 커패시턴스 값이 감소되어 마이크로웨이브의 위상속도()를 증가시키는 효과를 가져온다. 또한 형성된 공핍층은 바이어스에 의해 조정이 가능하다. 따라서, 진행파형 전계 흡수 광 변조기(TW-EAM)에서 마이크로웨이브와 광 파의 속도 정합이 이루어지게 하여 변조 신호의 선형성을 개선하여 소자의 대역폭을 향상시킬 수 있다. 본발명에의한P+-n-i-p-N+진행파형전계흡수광변조기는진행파형전계흡수광변조기(TW-EAM)에서각P+, n, p, N+ 층의도핑과구동전압의적절한선정으로발생되는공핍층두께의조정이가능하게되어속도조정의폭이커지므로, 바이어스전압조절에의한마이크로웨이브(microwave) 속도(Voltage-controlled microwave velocity) 조정이가능해지므로이런효과를이용하여마이크로웨이브와광파의속도정합이이루어지게되고, 이는변조신호의선형성을개선하여소자의대역폭을향상시킬수있는효과가있다.상기에서는본발명의바람직한실시예를참조하여설명하였지만, 해당기술분야의숙련된당업자는하기의특허청구범위에기재된본발명의사상및영역으로부터벗어나지않는범위내에서본발명을다양하게수정및변경시킬수있음을이해할수있을것이다.