일반기술

ＧａＮ 나노막대를 이용한 전계방출형 디스플레이

본 발명은 일면에 캐소드 전극층이 형성된 베이스 기판; GACLX 기체와 NH3 기체를 400 내지 600℃의 온도범위에서 반응시켜서 상기 캐소드 전극층 상에 수직하게 서도록 형성된 복수개의 GAN 나노막대; 상기 베이스 기판과 대향하도록 위치하며 그 대향면에는 투명한 아노드 전극층이 형성된 투명기판; 상기 투명기판과 상기 베이스 기판을 이격시키도록 상기 투명기판과 상기 베이스 기판 사이에 설치되는 절연성 스페이서; 및 상기 아노드 전극 상에 형성된 형광층; 을 구비하는 것을 특징으로 하는 GAN 나노막대를 이용한 전계방출형 디스플레이. 본 발명은 전계방출형 디스플레이(Field Emission Display, 이하 'FED' 라 함)에 관한 것으로서, 특히 GaN 나노막대를 전계방출 팁으로 이용한 전계방출형 디스플레이에 관한 것이다.본 발명에 따른 전계방출형 디스플레이는, GAN을 전계방출 팁으로 사용하기 때문에 화학적 기계적으로 안정할 뿐만 아니라 2.7 내지 3.3eV의 낮은 전자친화력을 갖는다고 이미 알려져 있는 GaN을 특별한 방법으로 나노막대 형태로 성장시켜서 이를 전계방출 팁(fieldemission tip)으로 이용하는 새로운 전계방출형 디스플레이를 제공하는 데 있다.본 발명에 따른 GAN 나노막대를 이용한 전계방출형 디스플레이는, 일면에 캐소드 전극층이 형성된 베이스 기판; GACLX 기체와 NH3 기체를 400 내지 600℃의 온도범위에서 반응시켜서 상기 캐소드 전극층 상에 수직하게 서도록 형성된 복수개의 GAN 나노막대; 상기 베이스 기판과 대향하도록 위치하며 그 대향면에는 투명한 아노드 전극층이 형성된 투명기판; 상기 투명기판과 상기 베이스 기판을 이격시키도록 상기 투명기판과 상기 베이스 기판 사이에 설치되는 절연성 스페이서; 및 상기 아노드 전극 상에 형성된 형광층; 을 구비하는 것을 특징으로 한다. 전계방출형 디스플레이는, GaN을 전계방출 팁으로 사용하기 때문에 화학적 기계적으로 안정할 뿐만 아니라 낮은 전계방출전압을 가진다. 전계방출 팁으로 사용되는 GaN 나노막대는 HVPE법을 이용하여 400 내지 600℃의 저온에서 용이하게 얻을 수 있다.