일반기술

반도체 소자의 다마신 게이트 및 그의 제조방법

본 발명은 반도체 소자의 다마신 게이트 제조방법에 관한 것으로, T 형 또는 오프셋(off-set) 다마신 게이트 제조방법에 관한 것이다. 또한 게이트를 저유전율 절연물질 사이에 매립하는 구조를 구현함으로써, 게이트의 구조적 안정성 향상과 게이트 제조 후 표면의 완전한 평탄화를 구현 할 수 있는 반도체 소자의 다마신 게이트 제조방법에 관한 것이다.본 발명의 목적은 T 형 또는 오프셋 게이트를 저유전율 유전체 사이에 매립함으로써 게이트의 구조적 안정성을 향상시키고, 게이트 제조시 리프트 오프 방법을 사용하지 않고 상부의 전면 식각 방법을 사용함으로 하여 게이트 제조의 재현성을 향상시키며, 표면의 완전한 평탄화로 인하여 게이트 제조 이후의 패터닝시에 발생하는 문제점을 해결하기 위하여 반도체소자의 다마신 게이트 제조 방법을 제공한다.본 발명은 반도체 소자의 다마신(DAMASCENE) 게이트(GATE) 제조방법에 관한 것으로, 게이트를 저유전율 절연물질 사이에 매립하는 구조를 구현함으로써, 게이트의 구조적 안정성 향상과 게이트 제조 후 표면의 완전한 평탄화를 구현할 수 있는 반도체 제조공정에 관한 것이다. 본 발명에서는 T 형 및 오프셋 게이트를 저유전율 유전체 사이에 매립하여, 게이트의 구조적 안정성을 향상시킴으로써 수십 NM 의 게이트 풋을 가지는 게이트를 안정적으로 제조할 수 있으며, 리프트 오프 방법 대신 상부의 전면식각 방법을 사용함으로써 게이트 제조의 재현성을 향상시킨다. 또한 게이트 제조 후 완전 평탄화 된 표면을 가짐으로써, 기존의 방법에서 게이트 제조 이후의 단차에 의한 패터닝시에 발생하는 문제를 근본적으로 해결하는 효과를 가지고 있다게이트 풋의 높이를 확보하는 절연막을 제조하는 제 1단계; 상기 절연층의 상부에 식각정지층을 제조하는 제 2단계; 상기 식각정지층의 상부에 평탄화화용 절연막을 제조하는 제 3단계; 상기 평탄화용 절연막 상부에 게이트 헤드 식각공정을 위한 하드마스크 막을 제조하는 제 4단계; 건식 식각 방법을 이용하여 게이트 헤드를 제조하는 제 5단계; 소정의 패턴에 따른 건식 식각 방법을 이용하여 게이트 풋을 제조하는 제 6단계; 전면상부에 금속을 증착한 후 상부를 전면 식각하여 다마신 게이트를 제조하는 제 7단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 반도체소자의 다마신 게이트 제조방법이다.