일반기술

초고주파 반도체 소자

본 발명은 초고주파 단일칩 집적회로(microwave monolithic integrated circuit: MMIC)의 능동소자로 사용되는 초고주파 반도체 소자에 대한 것으로 게이트, 드레인 및 소스 와 측정을 위한 게이트, 드레인 및 소스 패드로 구성된 초고주파 반도체 소자에 있어서, 측정용 게이트 패드와 측정용 드레인 패드 대신에 게이트 확장 전극 및 드레인 확장 전극을 대치시켜형성한 초고주파 반도체 소자에 관한 것이다. 본 발명은 반도체 소자에서 측정용 패드의 형성과 디임베딩 과정을 생략함으로써 비용과 시간을 효과적으로 줄일 수 있으며, 또한 본 발명의 디임베딩 된 초고주파 반도체 소자는 입출력단의 측정 패드 대신에 확장 전극을 대치함으로써 전극과측정 패드 부분에서 발생하는 불연속 특성을 제거하여 초고주파 단일칩 집적회로의 설계시에 필요한 디임베딩 과정을 생략할 수 있어 모델링 과정에서의 시간과 비용의 절감이 가능하고, 초고주파 단일칩 집적회로 설계에서 능동 소자의 정확한특성과 크기를 제공할 수 있기 때문에 설계 시간 단축과 원하는 사양으로의 정확한 설계가 가능한 효과가 있다. 본 발명은 초고주파 반도체 소자에 관한 것으로, 보다 상세히 말하면, 초고주파 단일칩 집적회로(microwave monolithicintegrated circuit: MMIC)의 능동소자로 사용되는 초고주파 반도체 소자에 있어서, 게이트, 드레인 및 스와 측정을 위한 게이트 패드, 드레인 패드 및 소스 패드로 구성된 초고주파 반도체 소자에 있어서, 측정용 게이트 패드와 측정용 드레인패드 대신에 게이트 확장 전극 및 드레인 확장 전극을 대치시켜 형성한 초고주파 반도체 소자이다.게이트 전극, 드레인 전극 및 소스 전극과 측정용 게이트 패드, 측정용 드레인 패드 및 측정용 소스 패드로 구성된 초고주파 반도체에 있어서, 상기 측정용 게이트 패드와 측정용 드레인 패드를 대신해 확장전극이 각각 구성되어, 초고주파 단일칩 집적회로 설계를 위한 능동 소자의 모델링 과정에서 패드의 기생성분을 제거하기 위한 디임베딩 과정을 생략할 수 있어모델링 과정에 소요되는 비용과 시간을 최소화 한다.본 발명은 반도체 소자에서 측정용 패드의 형성과 디임베딩 과정을 생략함으로써 비용과 시간을 효과적으로 줄일 수 있다. 즉 본 발명의 초고주파 반도체 소자는 입출력단의 측정 패드 대신에 확장 전극을 대치함으로써 전극과 측정 패드 부분에서 발생하는 불연속 특성을 제거하여 초고주파 단일칩 집적회로의 설계시에 필요한 디임베딩 과정을 생략할 수 있어 모델링 과정에서의 시간과 비용의 절감이 가능하며, 초고주파 단일칩 집적회로 설계에서 능동 소자의 정확한 특성과 크기를 제공할 수 있기 때문에 설계 시간 단축과 원하는 사양으로의 정확한 설계가 가능한 효과가 있다. 초고주파 단일칩 집적회로의 능동소자로 사용되는 초고주파 반도체 소자에 있어서, 게이트 전극, 드레인 전극 및 소스 전극과 게이트 확장전극, 드레인 확장전극 및 측정용 소스 패드로 구성된 것을 특징으로하는 초고주파 반도체 소자.