일반기술

저손실 구조의 트랜지스터

본 발명은 저손실 구조의 트랜지스터에 관한 것으로 특히, 복수의 단위 게이트 구조를 갖는 트랜지스터에서 소스 전극의 넓이를 크게하여 에어브리지의 구조를 개선하며 메사영역의 넓이는 축소시켜 고주파에서 손실이 적은 향상된 성능을 가지는 트랜지스터에 관한 것이다.본 발명은 신호의 손실을 줄여 특성을 향상시킴과 동시에 보다 쉬운 공정을 제공하는데 그 목적이 있다.본 발명의 저손실 구조의 트랜지스터는 복수의 단위 게이트 전극과 복수의 단위 드레인 전극을 지나는 종래의 에어브리지의 구조를 변형하여 복수의 단위 게이트 전극이 끝나는 부분부터 소스 전극과 GND 전극의 접지를 위한 에어브리지를 형성하며 게이트 전극이 구비되지 않는 부분은 활성화 영역이 구비되지 않도록 활성화 영역을 제거함으로써 기존의 에어브리지에서 발생하는 손실을 크게 개선 할 수 있다.본 발명에 의한 "저손실 구조의 트랜지스터"는 복수의 단위 드레인 전극과 복수의 단위 소스 전극 사이에 복수의 단위 게이트 전극이 구비되도록 병렬의 반복 배열로 구성되어 복수의 단위 소스 전극이 에어브리지로 연결되는 트랜지스터에 있어서, 트랜지스터 손실을 감소시켜 트랜지스터의 이득 특성과 출력 특성을 향상시키기 위하여 상기 에어브리지와 복수의 단위 게이트 전극이 서로 교차되지 않고 소스 전극의 드레인 전극과 인접하는 끝단에 에어브리지가 구비되며 상기 에어브리지의 하부의 복수의 단위 게이트 전극이 구비되지 않는 곳에는 메사영역이 제거되는 것을 특징으로 한다.저손실 구조의 트랜지스터에 따르면, 트랜지스터의 소스 전극과 GND 전극의 에어브리지 연결 시 게이트 전극의 끝단에서 연결하여 에어브리지와 게이트 전극을 교차시키지 않도록 구성하는 한편 에어브리지의 하부에 메사층을 제거함으로써, 트랜지스터 신호 손실을 감소시킬 수 있으므로 고주파 대역에서 트랜지스터의 이득 특성과 출력 특성을 향상시키며 더 나아가, 무선 통신 시스템의 성능이 개선되어 더 좋은 품질의 무선 데이터 통신 서비스를 제공받을 수 있다.