일반기술

광반응성 폴리이미드를 이용한 패시베이션 방법

본 발명은 패시베이션(passivation) 방법에 대한 것으로써, 공정이 간단하고 소자의 성능 저하도 방지할 수 있으며, 저가격 화가 가능한 광반응성 폴리이미드를 이용한 패시베이션 방법이다. 본 발명의 광반응성 폴리이미드를 이용한 패시베이션 방법은, 광반응성 폴리이미드를 반도체 기판에 회전 도포(spincoating)한 후 선굽기(pre-baking)를 수행하는 제 1단계; 필요한 부분만을 남기기 위한 노광(exposure)의 제 2단계; 노광된 광반응성 폴리이미드를 현상하여 필요로 하지 않는 부분을 제거한 후, 흡착력 강화와 광반응성 폴리이미드의 경화를 위한 현상과 후굽기(post-baking)의 제 3단계를 포함하여 구성되어 있다. 본 발명은 광반응성 폴리이미드를 사용하여 한 번의 패턴 형성 작업으로 저유전율의 패시베이션 막을 제작함으로써 공정의 단순화 및 저가격화를 이루는 것으로, 본 발명으로 인해 부정합 고전자이동도 트랜지스터 및 초고주파 집적회로 제작과정에서 필수적인 패시베이션 공정이 방법이 간단하고 플라즈마의 증착 과정 및 건식 식각에 따른 소자의 특성저하가 일어나는 것을 줄일 수 있으며, 가격적인 측면에서 저가에 패시베이션 공정을 수행할 수 있는 효과를 낼 수 있다. 또한 두꺼운 패시베이션 박막을 형성함으로써 소자, 회로 및 이들 소자와 회로를 이용하여 구성된 시스템의 내구성을 증가시킬 수있는 효과가 있다. 광반응성 폴리이미드 유전 박막을 원하는 두께로 균일하게 도포할 수있는 도포조건 및 적절하게 패터닝을 할 수 있는 굽기 조건, 또한 패터닝 이후에 유전막이 손상되지 않도록 실시하는 고온의 양생공정을 개발하여, 광반응성 폴리이미드를 반도체 기판에 회전 도포 한 후 선굽기를 수행하는 제 1단계; 패턴이 형성된 마스크(16)와 광반응성 폴리이미드가 도포된 반도체 기판을 접촉시킨 후 405 nm 이하의 파장을 갖는 자외선(15)에노출시켜, 측정 와이어 본딩용 패드(17) 등의 필요로 하는 부분만을 남기기 위한 노광의 제 2단계; 노광된 광반응성 폴리이미드를 현상하여 필요로 하지 않는 부분을 제거한 후, 흡착력 강화와 광반응성 폴리이미드의 경화를 위한 현상과 후굽기(post-baking)의 제 3단계를 포함하는 광반응성 폴리이미드를 이용한 패시베이션 방법을 제공하고자 한다.본 발명은 기존의 플라즈마를 이용한 화학기상증착 방법을 이용한 밀리미터파 대역용 부정합 고전자이동도 트랜지스터 및 초고주파 집적회로의 패시베이션의 단점을 보안하기 위해 광반응성 폴리이미드를 이용한 패시베이션 방법에 관한 것이다. 본 발명의 광반응성 폴리이미드를 이용한 밀리미터파 대역용 부정합 고전자이동도 트랜지스터 및 초고주파 집적회로의 패시베이션은, 광반응성 폴리이미드를 반도체 기판에 회전 도포(spin coating)한 후 선굽기(pre-baking)를 수행하는 제 1단계; 필요한 부분만을 남기기 위한 노광(exposure)의 제 2단계; 노광된 광반응성 폴리이미드를 현상하여 필요로 하지 않는부분을 제거한 후, 흡착력 강화와 광반응성 폴리이미드의 경화를 위한 현상과 후굽기(post-baking)의 제 3단계를 포함하여 구성되어 있다.본 발명은 밀리미터파 대역용 부정합 고전자이동도 트랜지스터 및 초고주파 집적회로의 패시베이션 공정에서 플라즈마 화학기상증착 방법을 이용하여 유전 박막을 형성하고, 그 이후에 패턴을 형성 한 후 건식 식각을 하는 기존의 방법에 비해, 한 번의 광반응성 폴리이미드의 패턴 형성만으로 패시베이션이 가능한 효과가 있다. 또한 본 발명으로 인해 부정합 고전자이동도 트랜지스터 및 초고주파 집적회로 제작 과정에서 필수적인 패시베이션 공정의 방법이 간단하고 플라즈마의 증착 과정 및 건식 식각에 따른 소자의 특성저하가 일어나는 것을 줄일 수 있으며, 가격적인 측면에서 저가에 패시베이션 공정을 수행할 수 있는 효과를 낼 수 있다. 또한 두꺼운 패시베이션 박막을 형성함으로써 소자, 회로 및 이들 소자와 회로를 이용하여 구성된 시스템의 내구성을 증가시킬 수 있는 효과가 있다.광반응성 폴리이미드를 반도체 기판에 회전 도포 한 후 선굽기를 수행하는 제 1단계; 패턴이 형성된 마스크(16)와 광반응성 폴리이미드가 도포된 반도체 기판을 접촉시킨 후 405 nm 이하의 파장을 갖는 자외선(15)에 노출시켜, 측정 와이어 본딩용 패드(17) 등의 필요로 하는 부분만을 남기기 위한 노광의 제 2단계; 노광된 광반응성 폴리이미드를 현상하여 필요로 하지 않는 부분을 제거한 후, 흡착력 강화와 광반응성 폴리이미드의 경화를 위한 현상과 후굽기(post-baking)의 제 3단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 광반응성 폴리이미드를 이용한 패시베이션 방법.