일반기술

넓은 머리를 갖는 게아트 및 그 제조방법

본 기술은 넓은 머리를 갖는 게이트 및 그 제조방법에 관한 것으로, 금속-반도체 전계효과 트랜지스터(metal semiconductor field effect transistor: MESFET), 고전자 이동도 트랜지스터(high electron mobility transistor: HEMT) 등의 초고주파 및 밀리미터파용 반도체 소자 제조에 있어서, 게이트 다리 패턴용 유전체에 게이트 머리를 지지하는 지지용 축을 형성하여 게이트 다리를 중심으로 양쪽으로 게이트 머리를 받침으로써 게이트 머리가 지지되도록 한 넓은머리를 갖는 게이트 및 그 제조방법이다. 본 기술에 따른 지지용 축을 사용한 넓은 게이트 머리를 갖는 게이트 및 그 제조방법에 의하면, 유전체를 사용한 미세한 크기의 게이트 길이를 가지면서도 넓은 게이트 머리를 갖게 하여 게이트의 단면적을 크게 함으로써 기생 정전 용량에 의한반도체 소자 특성 저하를 방지할 수 있는 효과가 있으며, 또한 종래의 게이트 제조 방법에서 패턴만 추가하였기 때문에 제조 방법의 변화가 없으면서도 소자의 특성이 저하되지 않은 안정적인 게이트를 제조할 수 있고, 게이트의 신뢰성 및 재현성이 향상되는 효과가 있다.작은 게이트 길이를 가지면서 넓은게이트 머리를 갖게 하여 게이트 단면적을 증가시키면서도 기생 정전 용량을 감소시켜 소자의 특성을 개선시킬 수 있게 되었다. 즉 게이트 다리 형성을 위한 유전체 위에 지지용 축을 사용하여 넓은 게이트 머리를 갖는 게이트를 구성하여, 폴리머(polymer) 계열의 고분자 중합체 또는 산화막 또는 질화막 등의 유전체를 사용하여 제조된 게이트에서 게이트 머리를 지지하기 위한 지지용 축을 세움으로써 게이트 길이에 비해 상당히 넓은 게이트 머리를 갖게 하여 게이트 저항을 줄일 수 있다. 또한 상기에서 언급한 게이트 머리와 반도체 사이의 유전체에 의한 기생 정전 용량으로 인한 소자의 특성저하를 방지할 수도 있데 되었다.