일반기술

광반응성 폴리이미드를 이용한 패시베이션 방법

본 기술은 광반응성 폴리이미드(photoactive polyimide)를 이용한 패시베이션(passivation) 방법에 대한 것으로써, 플라즈마(plasma)를 이용한 화학기상증착(plasma enhanced chemical vapor deposition, PECVD) 방법에 비해 공정이 간단하고 소자의 성능 저하도 방지할 수 있으며, 저가격화가 가능한 광반응성 폴리이미드를 이용한 패시베이션방법이다.본 기술은 종래의 플라즈마를 이용한 화학기상증착 방법에 의한 패시베이션의 제반 문제점을 해소하기 위해, 광반응성 폴리이미드를 사용하여 한 번의 패턴 형성 작업으로 저유전율의 패시베이션 막을 제작함으로써 공정의 단순화 및 저가격화가 가능한 광반응성 폴리이미드를 이용한 패시베이션 방법을 제공하는 데 그 목적이 있다. 광반응성 폴리이미드는 포토레지스트와 같이 405 nm 이하의 파장을 갖는 자외선에 반응하여 선택적인 패턴 형성이 가능한 장점을 가지고 있다. 또한 유전 박막 형성 및 식각을 위해 주입되는 소수의 기체 성분에 의해 소자 특성이 저하되는 현상을 방지할 수 있으며, 유전 박막을 형성하고 식각하기 위한 고가의 장비를 필요로 하지 않는다.본 기술에서는 광반응성 폴리이미드 유전 박막을 원하는 두께로 균일하게 도포할 수 있는 도포조건 및 적절하게 패터닝을 할 수 있는 굽기 조건, 또한 패터닝 이후에 유전막이 손상되지 않도록 실시하는 고온의 양생공정을 개발하여, 광반응성 폴리이미드를 반도체 기판에 회전 도포 한 후 선굽기를 수행하고, 패턴이 형성된 마스크와 광반응성 폴리이미드가 도포된 반도체 기판을 접촉시킨 후 405 nm 이하의 파장을 갖는 자외선에 노출시켜, 측정 와이어 본딩용 패드 등의 필요로 하는 부분만을 남기기 위한 노광과 노광된 광반응성 폴리이미드를 현상하여 필요로 하지 않는 부분을 제거한 후, 흡착력 강화와 광반응성 폴리이미드의 경화를 위한 현상과 후굽기(post-baking)로 구성된 광반응성 폴리이미드를 이용한 패시베이션 방법을 제공하고자 한다.