일반기술

원자층증착법을 이용한 절연막, 반도체 박막 증착기술

▣ 원자층 증착법 (ALD)을 이용한 절연막, 반도체막 증착 기술○ 최근에 산화물 thin film transistor 의 연구가 많이 진행되면서 ALD을 이용한 절연막과 반도체 박막에 대한 관심이 많아지고 있는데 이는 ALD로 형성된 산화물 반도체막과 절연막을 소자에 적용시 TFT소자 특성이 우수하기 때문임.○ 본 기술은 ALD을 이용하여 TFT 소자 제조에 적합하고 대면적 증착이 가능하며 저온에서도 절연막 특성이 우수한 알루미나 박막을 증착하는 기술임.○ 투명한 산화물 반도체인 ZnO 박막을 ALD을 이용하여 증착하는 기술임.○ 본 기술은 다양한 소자 구조에 ALD에 의한 절연막 혹은 반도체박막을 적용함으로써 우수한 특성의 소자 제조 기술을 확보하고자 함.▣PECVD 를 이용한 절연막 증착 기술○ 대면적화가 용이한 PECVD 를 이용하여 SiNx, SiOx, SiON 등의 절연막을 고온에서 증착함.○ high k 재료와 같이 이중구조의 절연막을 형성하여 많이 사용하고 있음.▣ZnO 박막 증착기술○ 스퍼터링법을 이용하여 상온에서도 증착이 가능하나 특성이 우수하지 못함○ 주로 PLD 법을 이용하여 고온에서 증착하거나 혹은 저온에서 증착한 후 열처리하는 공정을 채택하고 있지만 역시 특성이 우수하지 못함. 이 기술은 대면적화가 불가능함.○ 용액공정 혹은 nano rod 를 이용하여 제조하는 기술이 원천기술 차원에서 일부 진행되고 있음.