일반기술

반도체소자 제조방법

<원리 및 구성>본 기술은 반도체 소자의 전극 형성 방법에 관한 것으로, RF-magnetron sputtering법을 이용하여 인-시튜(in-situ) 방법으로 단일 Ru타겟을 사용하여 산소 분압에 의한 이중전극형태의 루테늄/이산화 루테늄(Ru/RuO2) 전극 형성으로 플라즈마 공정의 단순화 및 안정화를 가능하게하여 반도체소자의 특성 및 신뢰성을 향상시키는 기술이다.<중요성 및 독창성>본 기술에 따르면, 확산방지막 및 열적 안정성 특성을 가지는 전극의 구현으로 인해 플라즈마 공정의 단순화 및 안정화를 가능하게 하여 반도체소자의 특성 및 신뢰성을 향상시킬 수 있으며, 나아가 비휘발성 특징을 갖는 반도체 메모리 소자의 수율 및 신뢰성을 향상시키고, 강유전체 메모리 반도체의 캐패시터용 전극으로의 응용이 가능하다는 것이 가장 중요한 점이라고 할 수 있다.<적용분야>-강유전체 메모리 반도체(Ferroelectric random access memory)의 커패시터용 전극으로의 응용이 가능-비휘발성 메모리 반도체소자의 커패시터용 전극으로의 사용이 용이하고 간단한 플라즈마 공정의 이점이 있어 향후 비휘발성 메모리 반도체소자의 커패시터 전극으로의 가능함<특징 및 장점>본 기술에 의한 반도체 소자의 루테늄/이산화 루테늄(Ru/RuO2) 전극에 의하면, 잘 알려진 바와같이 반도체 소자의 열화 특성을 향상시키는 이산화 루테늄(RuO2)전극과 유전열화 특성이 우수한 루테늄(Ru)전극을 사용할 때 비휘발성(novolatile) 특징을 가지는 반도체 메모리 소자의 수율 및 신뢰성을 향상시킨는 한편, RF-magnetron sputtering법을 이용하여 인-시튜(in-situ) 방법으로 단일 Ru타겟을 사용하여 산소 분압에 의한 이중전극형태의 루테늄/이산화 루테늄(Ru/RuO2) 전극 형성으로 플라즈마 공정의 단순화 및 안정화를 가능하게하여 반도체소자의 특성 및 신뢰성을 향상시킬 수 있다.