일반기술

N(-)-I-N(+)구조의 전계흡수 광변조기

고효율의 공핍상태(depletion)를 이루는 N-층을 포함하므로써 RF신호를 효과적으로 광(光)변조하는 N--i-N+구조의 전계흡수 광변조기는, 반절연성 기판상에 저농도도핑된 N-층, 진성(intrinsic)상태의 i층 및, 고농도도핑된 N+층을 포함하는 구조로 형성되며, 중앙의 i(진성)층은 단일물질(bulk) 또는 다중양자우물(Multiple Quantum Wells)로 형성된다. 따라서, 본 발명은 수 볼트대의 낮은 전압하에서도 높은 광변조효율을 유지하고 광변조기의 변조대역폭을 증가시키므로써, 광통신 관련분야에서 다양하게 응용되는 효과가 있다.본 발명은 수 볼트대의 낮은 전압하에서도 높은 광변조효율을 유지하며, 광파와 RF신호의 속도정합이 가능하며 RF신호의 변조손실을 현저히 감소시켜 광변조기의 변조대역폭을 증가시키므로써, 고속 대용량의 정보처리를 위한 핵심적 광전소자로 광통신 관련분야에서 다양하게 응용될 수 있는 효과를 제공한다. 따라서 본 발명은 상대적으로 저농도도핑(low doping)된 N-층, i(진성)층, 상대적으로 고농도도핑(high doping)된 N+층을 포함하는 구조의 광변조기를 제작하므로써, 낮은 바이어스전압 하에서도 고효율의 광변조를 수행할 수 있는 N--i-N+구조의 전계흡수 광변조기를 제공함에 있다.