일반기술

중성빔을 이용한 반도체소자의 식각방법 및 이를 위한식각장치

간단한 장치의 구성을 통하여 발생된 중성빔을 사용함으로써 전기적 물리적 손상이 없이 식각공정을 수행할 수 있는 반도체소자의 식각방법 및 식각장치가 개시된다. 본 발명의 식각방법은, 이온소오스로부터 일정한 극성을 갖는 이온빔을 추출하여 가속시키고, 이 가속된 이온빔을 낮은 각도에 놓인 반사체에 반사시켜 상기 이온빔을 중성빔으로 전환시킨 후, 상기 중성빔의 진행경로상에 피식각기판을 위치시켜 상기 중성빔에 의해 상기 피식각기판상의 특정 물질층을 식각한다. 상기 반사체에 입사되는 이온빔의 입사각을 제어하기 위해 상기 입사되는 이온빔에 대하여 상기 반사체의 기울기를 제어할 수도 있으며, 상기 반사체에 전기력을 인가하여 입사되는 이온빔의 진행경로를 제어할 수도 있다.이온소오스로부터 일정한 극성을 갖는 이온빔을 추출하여 가속시키는 단계; 상기 가속된 이온빔을 반사체에 입사되는 이온빔의 입사각을 제어하여 반사시켜 상기 이온빔을 중성빔으로 전환시키는 단계; 및 상기 중성빔의 진행경로상에 피식각기판을 위치시켜 상기 중성빔에 의해 상기 피식각기판상의 특정 물질층을 식각하는 단계를 포함하는 중성빔을 이용한 반도체소자의 식각방법. 최근 반도체 소자의 페턴 사이즈가 작아짐에 따라서 무손상 식각기술이 필요로 되어지고 있으며, 이러한 식각방법중의 하나로 중성빔 식각이 대두되어지고 있다. 그러나 기존의 연구되어지고 있는 중성빔 식각장치의 경우 high flux의 중성빔 발생이 어렵고, 중성빔의 방향 제어가 매우 어렵다.반면 본 발명은 high flux의 방향성을 지는 중성빔을 발생시킬 수 있으므로, 앞으로의 중성빔 식각에 매우 유리하며 또한 특성상 대면적화가 용이하고구조가 간단하여 산업화에의 적용에 유리하다