일반기술

박막트랜지스터 및 그 제조방법

<원리 및 구성>본 기술은 박막트랜지스터 및 그 제조방법에 관한 것으로,아르곤 가스 분위기에서 플렉시블한 플라스틱 기판상에 CE 금속을 연속적으로 증착하는 CE 증착단계와 상기 CE 금속에 산소를 주입하여 CE 금속 표면을 산화시켜 CEO2 를 형성하는 CEO2 증착단계와 상기 CEO2 층에 아르곤 가스와 산소를 주입하면서 스퍼터링법으로 CEO2 층을 성장시키는 CEO2 성장단계와 상기 CEO2 층 위에 ICPCVD(INDUCTIVE COUPLED PLASMA CHEMICAL VAPOR DEPOSITION)법으로 비정질 실리콘을 증착시키는 비정질 실리콘 증착단계 및 상기 비정질 실리콘 층에 엑시머 레이저를 조사하여 비정질 실리콘이 폴리실리콘으로 결정화되는 폴리실리콘 결정화단계를 포함하여 구성되어 있다.<중요성 및 독창성>본 기술에서 플라스틱 기판 위에 Ce/CeO2 층을 이용하여 poly-Si을 성장하는 방법과 Plasma ON/OFF 방법을 이용한 박막 증착법은 소자가 완성이 되기까지 모두 실온에서 공정이 진행되게 된다. 따라서 저온 공정이 필수인 플라스틱 기판의 박막 증착 기술 확립에 기여하여 기존의 고비용의 고온, 진공 증착법이 아닌 간단한 설치와 저비용 공정이 가능하다는 점에서 그 중요성이 크다고 할 수 있다.<적용제품>-TFT-LCD 제작 공정뿐만 아니라 미래에 주요 디스플레이로 예상이 되는 유기 EL과 같은 낮은 공정온도를 필요로 하는 분야에 대해서도 적용이 가능 -또한 플라스틱 기판의 성질을 필요에 따라 flexible하게 적용한다면 roll-to-roll 디스플레이로의 응용도 충분히 가능 <특징 및 장점>본 기술에서는 모든 공정이 실온(Room Temperature)에서 진행이 되기 때문에 현재의 박막 증착 공정과는 달리 온도에 대한 제약이 없게 된다. 특히 Plasma ON/OFF 방법을 이용한 Sputtering법은 실온에서 박막의 증착을 가능하게 해준다. 그리고 Ce metal 층은 Laser 조사 시 열에 대한 기판과 박막 보호 효과를 가지고 CeO2 씨앗층을 이용한 poly-Si 성장법은 CeO2가 Silicon과 격자상수가 유사하고 구조적으로 안정하기 때문에 플라스틱 기판 위에서 poly-Si이 성장되는데 많은 장점이 된다결론적으로, 플라스틱 기판의 기계적, 화학적 성질에 대한 신뢰감으로 인해 제품의 질이 향상되고, 우수한 성능을 갖는 박막트랜지스터를 생산할 수 있는 효과가 있으며, 본 기술을 바탕으로 차세대 평판형 디스플레이 제품 및 유기 EL 디스플레이 소자 등에 응용할 수 있다.