일반기술

고속처리 고온공정에서 웨이퍼의 스트레스 측정장치

유리판재에 의해 상부공간과 하부공간으로 나뉘어지는 챔버; 상기 챔버의 상부면으로부터 이격된 일정한 높이에 설치되고, 상기 챔버의 상부변에 형성된 윈도우를 통해 상부공간에 놓여진 웨이퍼의 표면에 레이저를 조사한 후 반사되는 레이저를 검출하는 레이저카메라; 상기 챔버의 상부공간에 놓여진 웨이퍼에 유리판재를 통해 고온의 열을 인가하기 위하여 하부공간에 설치되고, 할로겐램프구동부를 통해 인가되는 외부전원에 의해 고온의 열을 발생시키는 할로겐램프; 상기 상부공간에 놓여진 웨이퍼의 상부면에 설치되어 웨이퍼에 인가되는 온도를 감지하는 온도감지센서; 그리고 상기 레이저카메라가 웨이퍼의 표면으로부터 반사되는 레이저값을 검출하여 전송하는 레이저값을 분석하여 설정된 고온의 열이 웨이퍼에 인가하는 스트레스의 정도를 산출하여 표시부에 표시하는 메인컨트롤러로 이루어지는 고속처리 고온공정에서 웨이퍼의 스트레스 측정장치를 제공한다.본 발명은 반도체용 웨이퍼를 챔버에 위치시킨 후 웨이퍼 제조공정에서 이용되는 고온의 온도를 챔버에 인가하고, 상기 챔버에 놓여진 웨이퍼에 설정된 고온의 온도가 인가되는 상태에서 레이저카메라를 이용하여 웨이퍼의 표면에 레이저를 조사함으로써 고온의 열이 웨이퍼의 표면에 인가되는 스트레스를 검출하게 된다. 상기 레이저카메라에 의해 검출되는 웨이퍼의 표면으로부터 반사되는 레이저값을 분석함으로써 웨이퍼의 표면에 인가되는 스트레스의 정도를 정확하게 산출하고, 상기 산출된 웨이퍼의 스트레스 산출값을 웨이퍼 제조공정에 적용함으로써 웨이퍼의 불량률을 크게 감소시킬 수 있다.