일반기술

SiO₂에 매입된 양자 크기의 광 방출 규소 결정의 이온 빔 합성.

Bulk 실리콘 단결정이 예측 가능한 미래에 핵심 위치를 유지할, 현재로서는 기본적인 전자공학 재료이다. 동시에 실리콘은 그 낮은 방사선 재결합 확률 때문에 광전 분야 적용에는 제한적이다. 실온에서 기공성 실리콘으로부터 고강도 가시적 방출의 발견 이래, 양자 속박효과를 기초로 한 효과적인 광원으로서의 구조를 사용하는 가능성을 개발하고자 하는 세계적인 활동이 있어 왔다. 나노미터 크기의 실리콘 구조를 조립하기 위한 각종 기술이 개발되어 시험되었고 광 방출은 전체 가시 스펙트럼에 걸쳐 이루어졌다. 실리콘 나노구조를 형성하는 가장 유망한 방법은 Si+ 이온을 SiO₂기반에 이식하고 잇달아 서냉시키는 이온-빔 합성법이다. 우리의 접근은 우리로 하여금 다음의 특정 조건 하에서 보라색으로부터 적색까지 그리고 근적외선까지 전체 가시 스펙트럼을 가진 빛 방출을 얻도록 해준다. - 다중 에너지 이식 - 저온 목표 온도 - 제2차 나노초 이하 맥동 지속 범위에서 맥동 서냉 - 방사선과 압력을 올린 처리정보의 광학처리, 대면적 평판 디스플레이, optrons, 광원, 필터, 광학 증폭기, 단주상형상의 광자 누적 장치, 비선형 광학 장치 및 재료.