일반기술

전이 금속의 정공 주입층을 갖는 유기발광 다이오드 및 그 제조방법

본 기술은 유리 기판 상에 양극이 형성되어 있고, 상기 양극 상에 정공 주입층이 형성되어 있다. 상기 정공 주입층은 전이 금속층으로 구성할 수 있다. 상기 전이 금속층의 예로는 Ir, Ru, V, Rh, Ni 또는 Co막을 들 수 있다. 상기 정공 주입층 상에는 정공 수송층이 형성되어 있고, 상기 정공 수송층 상에는 발광층 및 음극이 순차적으로 형성되어 있다. 본 기술의 유기 발광 다이오드는 양극막과 정공 수송층 사이에 전이 금속층으로 정공 주입층을 형성하여 정공 주입 장벽을 낮추어 줌으로써 턴온 전압 및 작동 전압을 낮출 수 있다.본 기술은 양극과 정공 수송층 사이의 정공 주입 장벽을 낮추어줌으로써 턴온 전압 및 작동 전압을 낮추고 전자와 정공의 재결합을 증가시켜 내부 양자 효율을 증가시킬 수 있는 유기 발광 다이오드를 제공 하는 데 있으며, 또한, 상기 양극과 정공 수송층 사이의 정공 주입 장벽을 낮출 수 있는 유기 발광 다이오드의 적합한 제조 방법을 제공하는 데 있다 본 기술의 유기 발광 다이오드는 유리 기판 상에 양극이 형성되어 있고, 상기 양극상에 정공 주입층이 형성되어 있다. 상기 양극은 ITO막으로 구성할 수 있다. 상기 정공 주입층은 전이 금속층으로 구성할 수 있다. 상기 전이 금속층의 예로는 Ir, Ru, V, Rh, Ni 또는 Co을 들 수 있다. 상기 정공 주입층 상에는 정공 수송층이 형성 되어 있고, 상기 정공 수송층 상에는 발광층 및 음극이 순차적으로 형성되어 있다. 상기 정공 수송층은 α-NPD로 구성할 수 있다. 상기 발광층은 Alq3로 구성할 수 있다. 상기 음극은 Al막으로 구성할 수 있다. 상기 다른 기술적 과제를 달성하기 위하여, 본 기술의 유기 발광 다이오드의 제조 방법은 유리 기판 상에 양극을 형성한 후, 상기 양극 상에 전이 금속층으로 정공 주입층을 형성한다. 상기 양극은 ITO막으로 형성할 수 있다. 상기 정공 주입층을 구성하는 전이 금속층은 Ir, Ru, V, Rh, Ni 또는 Co로 형성할 수 있다. 상기 양극을 형성한 후 상기 양극에 산소 플라즈마 처리를 수행할 수도 있다. 상기 정공 주입층에 일함수를 크게 하기 위해 산소 플라즈마 처리를 수행한 후, 상기 산소 플라즈마 처리된 정공 주입층 상에 정공 수송층을 형성한다. 상기 정공 수송층은 α-NPD로 형성할 수 있다. 상기 정공 수송층 상에 발광층을 형성한 후, 상기 발광층 상에 음극을 형성한다. 상기 발광층은 Alq3로 형성하고, 상기 음극은 Al막으로 형성할 수 있다. 이상과 같이 본 기술의 유기 발광 다이오드는 양극막과 정공 수송층 사이에 전이 금속층으로 정공 주입층을 형성하여 정공 주입 장벽을 낮추어 줌으로써 턴온 전압 및 작동 전압을 낮출 수 있다.