일반기술

중성빔을 이용한 식각장치

<원리 및 구성>본 기술의 식각장치는, 일정한 극성을 갖는 이온빔을 추출하여 가속시킬 수 있는 이온소오스, 상기 이온소오스의 말단에 위치하며, 이온빔이 통과하는 복수개의 그리드홀이 형성된 그리드, 상기 그리드와 밀착되어 있으며, 상기 그리드내의 그리드홀에 대응하는 복수개의 반사체홀이 형성되어 있으며, 그리드홀을 통과한 이온빔을 상기 반사체홀 내에서 반사시켜 중성빔으로 전환시켜주는 반사체 및 상기 중성빔의 진행경로상에 피식각기판을 위치시킬 수 있는 스테이지를 포함한다.<중요성 및 독창성>본 기술을 통하여 차차세대의 실행될 nano device의 구현을 가능하게 하며 부수적으로 차세대 MEMS, Biosensor등의 타분야에도 응용할 수 있는 신개념의 극미세패턴의 식각기술이 창출될 것이다.<적용 제품>본 기술의 반도체 식각용 장비 및 공정은 차후세대에 적용하기 위한 장비 및 공정의 개발에 적용가능<특징 및 장점>-현재 국가의 3대 수출산업인 반도체 산업에 있어서 중요한 기술중의 한가지인 반도체 식각기술에 대한 원천기술의 확보 가능-이와같은 기술의 확보는 앞으로 반도체 산업의 진정한 국산화 및 원천기술의 확보면에서 중요하고 또한 국가의 경제기반을 확보하는 차원에서도 중요-특히 현재에 기술적 우의를 지키고 있는 반도체 메모리소자분야에서 외국 기술의 습득이 아닌 기술적 주도와 우의 점유 가능-또한 신개념의 극미세패턴을 위한 etching 기술의 선점은 물론 식각장비의 제조산업분야에도 응용가능