일반기술

모스 트랜지스터의 제조방법

소스와 드래인 단자 영역이 금속 성질을 갖도록 실리사이드화시켜 저항을 대폭 저감시킬 수 있도록 한 모스 트랜지스터의 제조방법에 관한 것으로, 그 제조공정은 우선 실리콘 기판위에 산화막과 다결정 실리콘을 증착한 후 건식식각 처리방식으로 게이트 영역을 형성시키고, 그 게이트 양측으로 소스와 드래인 영역을 형성하기 위하여 기판의 상면에서 비소로 이온 주입하여 엘디디를 형성한다.이어서, 그 게이트의 측면에 산화막을 증착하고 건식식각을 수행하여 게이트 측면 산화막을 형성한 다음, 기판 상면에서 비소 이온을 주입하여 소스와 드래인 영역을 형성하고 이렇게 형성된 소스와 드래인 영역의 표면에 금속을 증착한 후에 열처리를 가해 실리사이드화시킨 다음에, 세 단자(소스, 드래인, 게이트)에 알미늄 전극을 증착하면 모스 트랜지스터 소자의 제조공정이 완료된다.이에 따르면, 본 발명은 소스와 드래인 영역에서의 저항이 저감되어 소자의 전류구동성이 크게 증대될 뿐만 아니라, 건식 식각기술로 게이트의 폭을 대략 0.1마이크로미터(㎛)이하로 조절하여 극소 소자를 제조할 수 있으므로 저전력으로도 구동이 가능해지는 효과를 갖는다.실리콘 기판에 소스, 드래인 및 게이트의 각 단자를 각기 형성하는 단계와,상기 게이트측에 불순물인 이온을 주입하여 엘디디를 형성하는 단계와,상기 게이트 영역에 측면 산화막을 형성하는 단계와,상기 소스 및 드래인에 금속을 증착시키고 열처리하여 실리사이드(SILICIDE)화시키는 단계와,상기 실리사이드와 실리콘의 접합부위를 접합시켜 실리콘 층을 형성시키는 단계를 구비하여 된 것을 특징으로 하는 모스 트랜지스터의 제조방법.