일반기술

Radical beam gettering epitaxy 법에 의한 넓은 band gap 반도체를 기초로 한, 빛을 발하는 광 다이오드의 조립

알려진 것처럼 가시선 및 자외선 스펙트럼 범위에 퍼져 있는 반도체 광전자는 주로 base wide gap II-VI 및 III-V 화합물에서 가능하다. 그러나 n-형만의 자기보상 및 단극 전도성 경향을 극복할 필요가 있다.연구 목표는 p-형 II-VI 및 III-V 재료와, 그것을 기초로 한 빛을 발하는 광 다이오드의 생산을 위한 p-n 단종 및 이종 구조를 얻는데 있다. 보통 MBE 및 MOCVD의 고가 방법은 고품질의 이종접합을 얻는데 사용된다. Radical Beam Gettering Epitaxy의 원래 방법은 훨씬 낮은 비용으로 똑 같은 결과를 얻게 해준다. 이 방법의 가능성은 ZnS, ZnSe 및 ZnO에서 보였다. 이 방법은 비금속 원자 분위기에서 반도체 재료의 열처리 방법을 사용하는 것을 기초로 하고 있다.스펙트럼의 녹색, 청색, 및 자외선 범위에서 빛을 발하는 광 다이오드의 조립.