일반기술

반도체 소자의 전압 강하 및 동적 소모전력 분석방법

반도체 회로의 전압 강하 및 전력 소모 값의 분석방법은 정적 및 동적 분석 방법에 있어서 지연 계산기, 소모전력 계산기, RC축소기, 전류 추출기 및 피크값 추출기 등의 분석 기법을 이용하여 실제 전압 강하 값과 소모 전력 값에 근사한 예측지를 빠른 시간내에 계산되도록 함으로써 SoC와 같은 대형 반도체 설계도면의 검증에서 전압강하 및 전력 소모 현상으로 나타날 수 있는 설계 오류를 제거하는데 그 목적이 있고, 개발 기간의 단축 및 비용을 획기적으로 절감할 수 있다. 또한, 종래의 방법에 비하여 그 결과 값 및 분석속도에 있어 월등한 결과를 나타내므로 고가의 외산 상용프로그램을 대체하는 효과가 있다반도체 소자의 전압 상하 및 전력 소모 값의 분석 방법에 있어서 정적 방식에서의 큰 오차 값과 동적 방식에서의 분석 효율성 문제를 극복한 것으로, 실 회로에서 발생 가능한 요인들을 모두 반영하면서도 간략화하여 종래의 기술에서 구현이 어려웠던 고속의 분석 및 설계 피드백을 가능케 하여 설계 초기에 발생할 수 있는 오류를 최소화할 수 있어 개발 기간의 단축 및 비용을 획기적으로 절감할 수 있다.또한, 종래의 방법에 비하여 그 결과 값 및 분석속도에 있어 월등한 결과를 나타내므로 고가의 외산 상용프로그램을 대체하는 효과가 있다