일반기술

티타늄 산화막 제조방법

본 발명은 화학기상증착법을 이용하여 광촉매용 티타늄 산화막(TIOX)을 형성하는 방법에 관한 것이다. 본 발명에 따르면 화학기상증착용 챔버 내부로 기판을 제공하고, 챔버에 부착된 버블러에 준비된 전구체에 기화용 가스를 주입하여 전구체를 기체 상태로 만들어 챔버 내로 공급하고, 기체상태의 전구체와 반응가스를 반응시켜 기판에 C와 N이 도핑된 TIOX를 증착한다. 이때 사용되는 전구체는 TDMAT(TETRAKIS DIMETHYLAMIDO TITANIUM), TDEAT(TETRAKIS DIETHYLAMIDO TITANIUM), TEMAT(TETRAKIS ETHYLMETHYLAMIDO TITANIUM) 중에서 선택된 하나인 것을 특징으로 한다. 이에 따라, 화학기상증착법으로 티타늄 산화막을 형성함과 동시에 인-시츄 방법으로 C, N 등을 티타늄 산화막에 도핑시켜 가시광선 영역에서도 광학활성도가 우수한 티타늄 산화막을 얻을 수 있다.화학기상증착법을 이용하여 티타늄 산화막을 형성하는 티타늄 산화막 형성방법에 있어서, (A) 화학기상증착용 챔버 내부로 기판을 제공하는 단계; (B) 상기 챔버에 부착된 버블러에 준비된 전구체에 기화용 가스를 제공하여 상기 전구체를 기체 상태로 만들어 상기 챔버 내로 공급하는 단계; 및 (C) 상기 기체상태의 전구체와 반응가스를 반응시켜 상기 기판에 C와 N이 도핑된 티타늄 산화막을 증착하는 단계를 포함하고; 상기 전구체는 TDMAT(TETRAKIS DIMETHYLAMIDO TITANIUM), TDEAT(TETRAKIS DIETHYLAMIDO TITANIUM) 및 TEMAT(TETRAKIS ETHYLMETHYLAMIDO TITANIUM) 중에서 선택된 하나인 것을 특징으로 하는 티타늄 산화막 형성방법.

기술정보

기술분류
화학 > 기타 화학
보유기관
(재)광주테크노파크
기술유형
일반기술
등록일
2006-05-12
데이터 갱신일
정보 없음

상세설명

정보 없음

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