일반기술

고순도 실리콘에서 극소 불순물 농도의 결정을 위한 전자 및 감마 조사를 사용한 방법의 설계

고순도 실리콘에 대한 요구사항이 세계적으로 꾸준히 증가하고 있다. 실리콘 순도에 대한 수요도 똑같이 증가하고 있다. Institute of Semiconductor Physics SB RA는 고순도 실리콘의 제조방법과 장치, 인증작업을 활발하게 개발하고 있다. 이러한 실리콘에 잔류 불순물의 낮은 함량은 불순물 분류와 농도의 결정을 위하여 고감도 방법의 적용을 요구한다. 저온 광발광(PL), EPR 및 Deep Level Transient Spectroscopy (DLTS)와 같은 방법은 불순물의 저농도를 등록하게 할 뿐만 아니라 특이한 형태의 불순물을 관찰할 수 있는 신호를 분류하게 해준다. 이들 방법은 실리콘에서 I, III, V 족의 불순물을 등록하는데 유용하다. 그러나 초기 조건에서 전기적 활성을 나타내지 않는 많은 불순물이 있으며 결과적으로 특정 방법에 의하여 검출되지 않는다.프로젝트 결과는 과학적 관심이며 널리 적용될 수 있다. 개발된 방법은 순수 실리콘의 특성화에 사용될 수 있으며, 이것은 이온화 방사선의 고감도 검출기의 제작 및 환경 모니터링에 사용될 수 있다.