일반기술

화학기상증착법을 이용한 티타늄 산화막 제조방법

본 발명은 화학기상증착법을 이용하여 광촉매용 티타늄 산화막(TIOX)을 형성하는 방법에 관한 것으로, 화학기상증착용 챔버 내부로 기판을 준비하고, 챔버에 부착된 버블러에 장착된 전구체에 기화용 가스를 주입하여 전구체를 기화시켜 챔버 내로 공급하고 공급된 전구체가 기판에 흡착되도록 한다. 기화된 전구체의 공급을 중단하고 챔버를 퍼징하여 흡착되지 않은 전구체를 제거하고, 챔버 내로 반응가스를 공급하고 전구체와 반응가스를 반응시켜 기판 상에 티타늄 산화막을 형성하고, 반응가스 중 반응하고 남겨진 과잉 반응가스와 반응 부산물을 퍼징하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 한다. 이와 같이 전구체, 반응가스 및 플라즈마를 시분할하여 공급하고 이들의 중간에 챔버를 퍼징함에 따라 기상 반응에 의한 미립자의 생성을 방지할 수 있다.(A) 화학기상증착용 챔버 내부로 기판을 제공하는 단계; (B) 상기 챔버에 부착된 버블러에 준비된 전구체에 기화용 가스를 제공하여 상기 전구체를 기화시키는 단계; (C) 상기 기화된 전구체를 챔버 내로 공급하여 기판에 흡착시키는 단계; (D) 상기 기화된 전구체의 공급을 중단하고 챔버를 퍼징하여 기판에 흡착되지 않은 전구체를 제거하는 단계; (E) 챔버 내로 반응가스를 공급하여 상기 기판에 흡착된 전구체와 반응시켜 기판 상에 티타늄 산화막을 형성하는 단계; 및 (F) 상기 반응가스 중 반응하고 남겨진 과잉 반응가스와 반응 부산물을 퍼징하는 단계를 포함하고; 상기 전구체는 TDMAT(TETRAKIS DIMETHYLAMIDO TITANIUM), TDEAT(TETRAKIS DIETHYLAMIDO TITANIUM) 및 TEMAT(TETRAKIS ETHYLMETHYLAMIDO TITANIUM) 중에서 선택된 하나이며, (E) 단계에서 형성된 티타늄 산화물에 C와 N이 도핑되는 것을 특징으로 하는 시분할 주입 화학기상증착법을 이용한 티타늄 산화막 형성방법.