일반기술

OTFT용 유기-무기 반도체 물질 및 그 제조방법

유기 박막 트랜지스터의 안정성 및 신뢰성을 확보하기 위해서는 적절한 공정이 요구되고 있으나, 이에 관한 연구는 거의 진행되지 않고 있다. 본 발명에서는 종래의 물질들 보다 전기적 특성이 향상된 유기-무기 혼재 반도체 물질과 그 제조 방법의 개선을 제공하는데 그 목적이 있다. 즉 본 발명은 유기 박막 트랜지스트용 유기-무기 반도체 물질 및 제조 방법에 관한 것으로 특히, 유기 박막 트랜지스트용 유기-무기 반도체 물질중 Perovskite형 구조를 가진 화합물과 그 제조 방법에 관한 것이다.유기물, 무기물, 반도체물질을 사용하는 유기 박막 트랜지스트에 관한것으로서, 특히 트랜지스터의 전기적 성능을 향상시킬 수 있는 유기 박막 트랜지스트(OTFT)의 반도체 물질 및 그 제조방법에 관한 것이다. OTFT용 유기-무기 반도체 물질인 (C6H5C2H4NH3)2PbCl4를 종래의 제조방법에 의하면 1년 정도가 소요되나 본 발명에서 제안한 방법에 의하면 (C6H5C2H4NH3)2PbCl4에 열을 가하기 때문에 제조시간이 단축 되었다.perovskite형 물질인 CH3NH3Snl3를 OTFT에 활성층에서 사용되는 것과 새로이 (5-BAP)2PbCl4를 OTFT에 적용함으로써 OTFT 기술에 기여할 수 있는 것이다.