일반기술
3원 및 4원 고체 용액에서 다른 형식의 이온을 이식할 때의 물리화학공정 연구
광전자 및 광학전자 장치 개발을 위하여 3원 GaAlAs 및 4원 InGaAsP 고체용액에 S, Be, Mg 이온에 의한 다량의 이온 이식에 대한 연구를 계획하고 있다. 기판의 복잡한 구성과 휘발 성분의 존재 때문에 이런 종류의 장치에 대해서 전통적인 주입방법 (확산)이 이 경우에는 사용될 수 없다. 다량의 이식을 포함하여 상기 고체 용액을 이식할 때 복사 결함의 발생과 이완 및 이식되는 불순물의 활성화에 관한 기본정보가 처음으로 얻어질 것이다. 주량 주입층 제조를 위한 적정 기술 영역도 선정될 것이다.TV 원격조작 및 광섬유 통신 채널의 광수신기을 위한 방출 다이오드 의 제조
기술정보
- 기술분류
- 전기·전자 > 전자부품
- 보유기관
- 특허법인충정
- 기술유형
- 일반기술
- 등록일
- 2000-04-24
- 데이터 갱신일
- 정보 없음
상세설명
정보 없음
관련 특허
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