일반기술
대면적처리용 내장형 선형안테나를 구비하는 유도결합플라즈마 처리장치
대면적처리용 내장형 선형안테나를 구비하는 유도결합 플라즈마 처리장치에 대해 개시한다. 본 발명은, 반응챔버와, 유도전력이 인가되며, 상기 반응챔버의 내측 상부에서 수평적으로 서로 일정한 간격을 두고 선형적으로 배치되고. 반응챔버 외부에서는 상기 선형의 선형안테나를 접속시키되 반응챔버 외부로 노출된 안테나 중 서로 인접한 안테나의 일측을 접속시켜 하나의 굴절된 선형안테나가 적어도 하나이상 구비되거나, 일측을 하나로 형성시켜서 유도전력부에 접속시키고, 반응챔버 내부의 인접된 선형안테나 사이마다 또 다른 선형안테나를 다수 구비하여 타측을 하나로 형성시켜서 유도전력부에 접속된 선형안테나 및 상기 선형안테나로부터 발생되는 전기장과 교차하는 자기장을 발생시켜 전자가 나선 운동되도록 상기 안테나에 인접시켜 배치한 적어도 하나 이상의 자성체를 포함하여 이루어진 것을 특징으로 한다. 본 발명에 따르면, 선형안테나와 자성체의 결합하여 반응챔버내의 플라즈마 생성 영역에서 전기장과 자기장을 결합시킴으로써 전자의 나선운동에 의해 이동 경로가 증가하여 전자와 중성자간의 충돌 확률이 높아 RF 전력의 증가에 따른 플라즈마 밀도가 증가하게 되는 반면 전자 온도는 감소하고, 플라즈마 생성의 안정성이 증가하며, 또한 초대면적 플라즈마 공정을 위한 플라즈마 균일도도 10 % 이내에서 유지될 수 있는 장점이 있다.반응챔버; 유도전력이 인가되며, 상기 반응챔버의 내측 상부에서 수평적으로 서로 일정한 간격을 두고 선형적으로 배치되고. 반응챔버 외부에서는 상기 선형의 선형안테나를 접속시키되 반응챔버 외부로 노출된 안테나 중 서로 인접한 안테나의 일측을 접속시켜 하나의 굴절된 선형안테나가 적어도 하나이상 구비된 선형안테나; 및 상기 선형안테나로부터 발생되는 전기장과 교차하는 자기장을 발생시켜 전자가 나선 운동되도록 상기 안테나에 인접시켜 배치한 적어도 하나 이상의 자성체; 를 포함하여 이루어진 것을 특징으로 하는 대면적처리용 내장형 선형안테나를 구비하는 유도결합 플라즈마 처리장치에 있어서,상기 자성체는 상기 선형 안테나와 선형 안테나 사이에 평행하게 하 방향으로 배치되며, 상기 인접한 선형 안테나 사이에 극성이 다른 2개의 선형 자성체인 것을 특징으로 하는 대면적처리용 내장형 선형안테나를 구비하는 유도결합 플라즈마 처리장치.반응챔버와, 유도전력이 인가되며, 상기 반응챔버의 내측 상부에서 수평적으로 서로 일정한 간격을 두고 선형적으로 배치되고. 반응챔버 외부에서는 상기 선형의 선형안테나를 접속시키되 반응챔버 외부로 노출된 안테나 중 서로 인접한 안테나의 일측을 접속시켜 하나의 굴절된 선형안테나가 적어도 하나이상 구비되거나, 일측을 하나로 형성시켜서 유도전력부에 접속시키고, 반응챔버 내부의 인접된 선형안테나 사이마다 또 다른 선형안테나를 다수 구비하여 타측을 하나로 형성시켜서 유도전력부에 접속된 선형안테나 및 상기 선형안테나로부터 발생되는 전기장과 교차하는 자기장을 발생시켜 전자가 나선 운동되도록 상기 안테나에 인접시켜 배치한 적어도 하나 이상의 자성체를 포함하여 이루어진 것을 특징으로 한다. 본 발명에 따르면, 선형안테나와 자성체의 결합하여 반응챔버내의 플라즈마 생성 영역에서 전기장과 자기장을 결합시킴으로써 전자의 나선운동에 의해 이동 경로가 증가하여 전자와 중성자간의 충돌 확률이 높아 RF 전력의 증가에 따른 플라즈마 밀도가 증가하게 되는 반면 전자 온도는 감소하고, 플라즈마 생성의 안정성이 증가하며, 또한 초대면적 플라즈마 공정을 위한 플라즈마 균일도도 10 % 이내에서 유지될 수 있는 장점이 있다.
기술정보
- 기술분류
- 전기·전자 > 반도체 공정 (B63)
- 보유기관
- 성균관대학교
- 기술유형
- 일반기술
- 등록일
- 2006-05-22
- 데이터 갱신일
- 정보 없음
상세설명
정보 없음
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