일반기술
X-선 이미지 등록
현재 X-선 이미지 등록을 위한 인기 있고 자주 사용되는 방법의 대부분은 복합 할로겐화물 자극성, 인으로 변경된 BaFBr:Eu와 같은 희토류 원소를 기초로 한 이메지 판이다. 이 방법은 몇 가지 피할 수 없는 단점을 가지고 있다.- 실온에서조차 시간의 경과시 얻어진 정보의 손실 - 해독시 이메지의 손상 - 낮은 공간 해상도 (150 μm). Boreskov Institute of Catalysis는 알카리러 처리된 할로겐 화합물을 기초로 은이 아닌 새로운 방사광 발광 저장 인을 개발하였다.방사광 발광 (RPL)기술은 위 방법의 대부분의 결점을 제거해준다.재료, 다른 조성, 및 합성방법의 연구. 그 외 형광법은, 재료가 광학 형광법에 대해서 투명하고 적은 X-선 흡수도를 가지고 있기 때문에 폭(1 μm)과 깊이(100-1000 μm) 사이의 관계를 보여준다. 콘트라스트가 큰 상의 등록을 위해서는 특별한 광학을 설계할 필요가 있다.
기술정보
- 기술분류
- 원자력 > 기타 방사선방호·이용 기술
- 보유기관
- 특허법인충정
- 기술유형
- 일반기술
- 등록일
- 2000-04-24
- 데이터 갱신일
- 정보 없음
상세설명
정보 없음
관련 특허
등록된 관련 특허가 없습니다.