일반기술

중성빔을 이용한 반도체 소자의 식각장치

*원리 및 구성본 기술은 중성빔을 이용한 반도체 식각장치에 관한 것으로, 중성빔 식각장치에 있어서, 일정 각도로 경사진 반사면이 다수로 형성되어 이루어진 슬릿부가 내측에 일체로 성형된 반사체를 포함하여 이루어진 것으로, 종래보다 크기가 소형화되고 구조가 간결하게 됨으로써 제조가 간편하고, 또한 중성빔의 방향 제어가 용이하다. 외주연에 다수의 유도코일(RF COIL)이 권회되어 구성된 이온소스와; 다수의 그리드홀이 형성된 채 이온소스의 일측에 설치되어 이온빔을 가속시키는 그리드와; 그리드홀을 통해 입사되는 이온빔을 중성빔으로 전환시키는 반사체를 포함하여 이루어진 중성빔 식각장치에 있어서,상기 반사체(6)의 내측에 슬릿부(62)가 일체로 성형되고,상기 슬릿부(62)는 그리드홀(42)에 대응되며 일정 각도로 경사지게 형성된 복수개의 반사면(64)을 포함하여 이루어지며,상기 반사면(64)은 10°이하의 경사각으로 형성시킴으로써 식각속도를 최적화시킨 것을 특징으로 하는 중성빔을 이용한 반도체 소자의 식각장치.*기술의 장점본 기술을 통하여 차세대의 실행될 나노소자의 구현을 가능하게 하며 부수적으로 차세대 MEMS, Biosensor등의 타분야에도 응용할 수 있는 신개념의 극미세패턴의 식각기술이 창출될 것이다. 특히 현재에 기술적 우의를 지키고 있는 반도체 메모리소자분야에서 외국 기술의 습득이 아닌 기술적 주도와 우의를 지켜나갈 수 있을 것이다. 또한 신개념의 극미세패턴을 위한 식각기술의 선점은 물론 식각장비의 제조산업분야에도 큰 파장을 불러 일으킬 것이다. 본 연구를 통하여 확보된 최첨단의 플라즈마소오스, 이온빔 소오스등의 장비제작