일반기술

자기장을 이용한 초대면적 플라즈마 발생장치

*원리 및 구성본 기술은 자기장을 이용한 초대면적 플라즈마 발생장치에 관한 것으로, 식각 기판이 장착되는 스테이지가 구비된 반응챔버와; 다수의 안테나 봉이 연결된 제1 및 제2안테나가 서로 대향 교차되되 병렬로 배치되어 구성된 안테나 소오스;로 이루어진 유도결합 플라즈마 발생장치에 있어서, 상기 안테나 봉은 상부에 복수개의 자성체가 구비되어 안테나 소오스를 구성하도록 함으로써 플라즈마 균일도를 증가시킬 수 있고, 기판의 크기에 따라 안테나의 간격을 조절할 수 있어 향상된 균일도를 유지시킬 수 있다. 식각 기판이 장착되는 스테이지가 구비된 반응챔버; 다수의 안테나 봉이 연결된 제1 및 제2안테나가 서로 대향 교차되되 병렬로 배치되어 구성된 안테나 소오스;로 구성된 플라즈마 발생장치에 있어서, 상기 각각의 안테나 봉(410)(420)은 상부에 복수개의 자성체(6)가 구비되어 안테나 소오스(4)를 구성하도록 한 것을 특징으로 하는 자기장을 이용한 초대면적 플라즈마 발생장치.*기술의 장점첫째, 초대면적 처리용 유도 결합 플라즈마 소오스의 발명에 의해 반도체 소자의 제조공정 뿐만 아니라 대면적의 평판 패널 디스플레이(FPD) 장치의 제조공정에서 대면적에 걸친 균일한 플라즈마 형성에 이르기 까지 지대한 효과를 볼 수 있을 것으로 예상둘째, 최근에 실리콘 웨이퍼의 직경이 300mm로 대면적화 되고 있으며, 평판 패널 디스플레이 기판의 면적도 대면적화 되고 있고, 또한 박막 트랜지스터 액정 표시장치(LCD) 생산에서 건식 식각장치의 역할은 앞으로 더욱 커질 것으로 예상