일반기술

스퍼터링에 의해 기판상에 박막을 형성하는 방법

본 기술은 기판상에 박막을 형성하는 방법에 관한 것으로서, 더욱 상세하게는 기판상에 산화물을 스퍼터링 증착하는 방법 및 장치에 관한 것이다.본 기술의 방법은 진공조내에 놓여진 기판의 상부에 그리드를 설치하고 상기 그리드에 (+)바이어스를 가하면서, 산소 플라즈마를 포함하는 플라즈마를 이용하여 기판상에 스터터링 증착을 수행한다.스퍼터링 증착은 진공조에서 발생시킨 플라즈마내에 존재하는 양이온이 음으로 대전된 타깃쪽으로 가속되어 충돌하여 타깃에서 떨어져 나온 물질을 기판상에 침착시킴으로써 증착시키는 방법이다.본 기술의 박막 형성 방법은 진공조내에서 스퍼티링 증착동안 그리드에 양(+)의 바이어스 전압을 인가함으로써, 산소 음이온이 기판상의 박막내로 입사되는 것을 최대한 방지하여, 박막의 구조에 나쁜 영향을 미치는 요인을 제거할 수 있다. 특히 산소 음이온에 의한 표면 거칠기의 증가를 감소시킬 수 있다. 그리고 본 발명의 방법은 그리드에 양(+)의 바이어스전압을 이용함으로써 증착되는 박막의 C-축 배향성을 크게할 수 있으며 박막아 단결정, 즉 에피탁시로 성장할 경우에는 애피탁시의 정도를 크게할 수 있다.또한, 본 기술은 플라즈마를 발생시킬 수 있고 내부에서 산화물 타깃을 구비하는 진공조내에 기판을 배치하는 단계와 기판의 상부에 그리드를 설치하여 기판이 그리드에 의해 산화물 타깃으로부터 가리워지도록 하는 단계와 그리드에 양(+)의 바이어스 전압을 가하면서 진공조내에서 산소 플라즈마를 포함하는 플라즈마를 발생시켜서 기판상에 산화물을 스퍼터링 증착하는 단계를 포함함을 특징으로 한다.