일반기술

순수한 내화금속 실리콘 화합물의 sputtering 표적의 제조

내화금속 실리콘 화합물은 마이크로 전자장치에서 저저항 접점, 게이트 전극, 및 상호 연결을 위해 매우 유망한 재료이다. 내화금속 실리콘 화합물의 특정 전기저항은 그것을 VLSI 기술을 위한 선택물질로 추천하는 가장 중요한 기준이다. 현재 실리콘 화합물 박막을 생산하기 위한 두 가지 주요한 기술이 사용되고 있다. 그 첫째는 고온 서냉과 최종 MeSi-층 형성을 수반하는, 금속과 실리콘 얇은 층의 부착으로 되어 있다. 둘째 기술은 magnetron sputtering시 내화금속 실리콘 화합물로 부터의 표적의 사용으로 되어 있다. 보통 분말야금법은 이런 실리콘화합물 표적을 제조하는데 사용된다. 그러나 이 기술은 원하는 수준의 순도를 내지 못하며 품질이 낮은 실리콘화합물 필름으로 된다. 이것은 제한된 부착율로 되어 필름의 오염 확률을 증가시킨다.실리콘화합물 표적은 다음 용도에 적용된다. - 마이크로 전자에 박막의 생산. - 포장기술을 위한 박막의 생산.