일반기술

액정성을 가지는 새로운 고분자 반도체 화합물 및 그 화합물을 사용한 유기 박막 트랜지스터

본 기술은 주사슬에 방향족 및 지방족 사슬을 포함하는 하기 화학식 1로 나타내는 액정성 고분자 유기 반도체 화합물 및 이 화합물을 유기 반도체층으로 사용하는 유기 박막 트랜지스터에 관한 것이다.본 기술에 따른 고분자 유기 반도체 화합물은 여러 가지 제조방법을 사용하여 제조할 수 있으며, 우수한 열적성질 및 액정성을 가지고 있다. 또한, 우수한 용해성으로 인하여 본 발명에 따른 고분자 반도체 화합물을 유기 박막 트랜지스터에 채용할 경우, 스핀코팅이나 프린팅 같은 용액 공정으로 손쉽게 박막을 형성할 수 있으므로, 유기 박막트랜지스터를 이용한 전자장치의 제조비용을 절감할 수 있다.하기 화학식 1와 같은 구조를 가지는 액정성을 가지는 고분자 유기 반도체 화합물. 화학식 1 상기 식에서 : AR1 및 AR2 는 각각 독립적으로 를 나타내며, 여기서, L, M, O, P, Q, R은 각각 0 내지 10 이하의 정수이고, AR3, AR4, AR5, AR6, AR7 및 AR8 은 중에서 각각 독립적으로 선택된 치환체 혹은 치환체 그룹이며, 여기서, AR3, AR4, AR5, AR6, AR7 및 AR8의 화합물에 있어서 R2∼R19는 각각 독립적으로 수소, 탄소수 1 내지 25의 알킬기, 탄소수 1내지 25의 알콕시기, 또는 탄소수 1 내지 25의 알킬기 및/또는 알콕시기가 치환된 탄소수 6 내지 30의 아릴기로 이루어진 군으로부터 선택될 수 있으며, AR9, AR10, AR11, 및 AR12는 각각 독립적으로 탄소수 6 내지 30의 아릴기, 탄소수 0 내지 30 이하의 헤테로 고리 방향족 화합물, 탄소수 6 내지 30 이하의 불화 아릴기, 탄소수 1 내지 25의 알킬기 및/또는 알콕시기가 치환된 탄소수 6내지 30의 아릴기 및 불화 아릴기로 이루어진 군으로부터 선택될 수 있으며, R1은 탄소수 1 내지 25의 폴리에틸렌옥시드기, 탄소수 1 내지 25의 폴리알킬렌옥시드기, 탄소수 1 내지 25의 알킬렌기, 탄소수 1 내지 25의 불화 알킬렌기, 탄소수 1 내지 25의 디알콕시기, 탄소수 1 내지 25의 폴리디메틸실록산기로 이루어진 군으로부터 선택되며, N은 100,000이하의 정수이다.