일반기술
자장이 인가된 내장형 선형 안테나를 구비하는 대면적처리용 유도 결합 플라즈마 소오스
*원리 및 구성본 기술은 초대면적에 대하여 플라즈마 밀도, 플라즈마 균일도 및 플라즈마 포텐셜 등 플라즈마 특성을 향상시킬 수 있는 자장이 인가된 내장형 선형 안테나를 구비하는 유도 결합 플라즈마 소오스에 관한 것이다. 본 기술의 유도 결합 플라즈마 소오스는, 반응챔버의 내측 상부에서 수평적으로 서로 일정한 간격을 두고 배치되며, 서로 직렬 혹은 병렬 연결된 유도전력이 인가되는 복수개의 선형 안테나들 및 상기 복수개의 선형 안테나들로부터 발생되는 전기장과 교차하는 자기장을 발생시켜 전자의 나선운동을 촉진시키도록 상기 선형 안테나들에 인접하여 배치된 적어도 하나의 자석을 포함한다. *중요성 및 독창성 본 기술을 통하여 차세대 디스플레이 패널 및 반도체 소자공정의 기반이 되는 새로운 초대면적 플라즈마 소스의 원천기술을 확보함으로써 현재 국가의 첨단산업인 반도체소자 및 디스플레이 패널제조에 있어서 단순 외국 기술의 습득이 아닌 기술적 주도와 우의를 지켜나갈 수 있을 것이다. *배경 종래의 고밀도 플라즈마중에서 가장 광범위하게 연구 및 사용되어지고있는 플라즈마소스는 반응챔버 상측 외부에 유전물질을 개재한채로 나선형의 안테나를 이용한 외장형 유도결합 플라즈마 소스이나, 반응챔버의 크기가 대면적화됨에따라 전력전달효율의 감소 및 대형화된 유전물질의 비용 및 제작의 어려움을 가지고 있어 이를 해결하고자 함.*기술의 특징 초대면적 플라즈마 공정을 위하여 내장형 선형 안테나와 영구 자석을 결합하여 반응챔버내의 플라즈마 생성 영역에서 전기장과 자기장을 결합시킴으로써 전자의 나선운동에 의해 이동 경로가 증가하여 전자와 중성자간의 높아짐. 따라서 RF 전력의 증가에 따라 플라즈마 밀도가 증가하게 되는 반면 전자 온도는 감소-> 플라즈마 생성의 안정성이 증가하며, 초대면적 플라즈마 공정 균일도를 10%로 유지 할 수 있음. *기술의 장점 본 기술은 반도체소자 및 디스플레이 패널제조의 핵심장비를 국내에서 제작 가능하게 되므로 1. 새로운 공정개발에 요구되는 장비개조 용이2. 이에 따른 공정개발도 자유로와 새로운 대면적 소자적용 공정기술의 선점이 가능*주요적용 제품-차세대 평판디스플레이-차세대 반도체 소자 적용 식각공정기술
기술정보
- 기술분류
- 전기·전자 > 반도체 공정 (B63)
- 보유기관
- 성균관대학교
- 기술유형
- 일반기술
- 등록일
- 2006-05-30
- 데이터 갱신일
- 정보 없음
상세설명
정보 없음
관련 특허
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