일반기술

자장강화된 외장형 선형 안테나를 구비하는 대면적 처리용유도 결합 플라즈마 소오스

* 원리와 구성본 기술의 유도 결합 플라즈마 소오스는, 반응챔버와 상기 반응챔버의 상부 외측에 형성된 유전물질층 및 상기 유전물질층 상에서 수평적으로 서로 일정한 간격을 두고 배치되어 있으며, 유도전력이 인가되어 전기장을 형성하는 복수개의 선형 안테나들을 포함하며, 상기 선형 안테나에 인접하여 배치된 적어도 하나의 자기장 발생부를 더 포함한다. * 배경 일반적으로 루프 또는 직선형의 안테나를 플라즈마가 형성되는 반응챔버의 내측으로 삽입한 내장형 유도결합 플라즈마 소스의 경우 높은 안테나 전압에 의한 높은 플라즈마 포텐셜 및 안테나물질의 스퍼터링에 의한 오염 그리고 방전이 불안정한 문제점을 안고 있다. 본 기술에서는 대면적 플라즈마 발생기술에 있어서 종래의 외장형 유도결합 플라즈마가 지니는 문제점 및 내장형 유도결합 플라즈마 소스 기술의 문제점을 동시에 해결하고자 하였다. * 중요성 및 독창성 플라즈마 처리 공정을 수행할 수 있도록 상대적으로 상호 인덕턴스값이 낮은 외장형 선형 안테나를 이용하여 낮은 플라즈마 밀도를 보상하고 이를 위하여 외부자장을 이용하여 플라즈마의 밀도를 높일 수 있는 대면적 처리용 유도 결합 플라즈마 소오스를 그 주 내용으로 한다.* 적용제품 및 경쟁제품 - 차세대 TFT-LCD를 비롯한 평판디스플레이 및 차세대 반도체 소자에의 적용 식각공정기술- 차세대 디스플레이용 flexible기판이나 유리기판용 건식세정 및 플라즈마 증착공정기술- 대면적 고밀도 플라즈마가 요구되는 MEMS식각, Ⅲ-Ⅴ계 화합물식각, 그 외 플라즈마 응용공정* 특징 및 장점 반도체 소자의 제조공정 뿐만 아니라 대면적의 평판 패널 디스플레이(FPD) 장치의 제조공정에서 대면적에 걸친 균일한 플라즈마 형성에 이르기 까지 지대한 효과를 볼 수 있다

기술정보

기술분류
전기·전자 > 반도체 공정 (B63)
보유기관
성균관대학교
기술유형
일반기술
등록일
2006-05-30
데이터 갱신일
정보 없음

상세설명

정보 없음

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