일반기술

삼중그리드를 이용한 반도체 식각용 중성빔 소오스

* 원리와 구성 본 기술은 삼중그리드를 이용한 반도체 식각용 중성빔 소오스(NEUTRAL BEAM SOURCE)에 관한 것으로서, 플라즈마 발생챔버와 그리드 어셈블리와 반사체를 구비한 중성빔 식각장치에 있어서, 상기 그리드 어셈블리(15)는 3개의 그리드를 중첩시켜서 이루어지되, 플라즈마 발생챔버에 인접된 최상부의 제1그리드(15A)에는 양(+)전압을 인가하여 가속시키고, 중간부의 제2그리드(15B)에는 접지를 연결하며, 최하부의 제3그리드(15C) 및 반사체에는 상기 제1그리드 보다 낮은 양(+)전압을 인가함으로써, 낮은 이온 에너지에서도 높은 이온 플럭스(FLUX)량을 얻을 수 있다. * 배경 중성빔 식각 장치의 그리드 부분을 좀 더 세분화 하고 구체화 한 것으로서 기존의 중성빔 flux를 좀더 향상시키고 낮은 에너지의 중성빔을 얻기 위하여 기술개발하였다. * 중요성 및 독창성 중성빔의 에너지를 감소시키기 위하여 이온의 에너지를 감소시키고자 하였으며, 중성빔의 발생량은 증가시키면서 낮은 에너지를 가질 수 있도록 하였다.* 적용제품 및 경쟁제품 반도체 식각용 장비 및 공정 * 특징 및 장점- 첫째, 중성빔의 에너지를 감소시키기 위하여 이온의 에너지를 감소시키고자 하였으며, 중성빔의 발생량은 증가시키면서 낮은 에너지를 가질 수 있도록 하였다.- 둘째, 반도체 식각용 장비 및 공정은 차후세대에 적용하기 위한 장비 및 공정의 개발로서 현재 선진국에서도 아직 생산에 적용할 만한 기술을 확보하지 못하고 학계를 통하여 주로 연구개발하고 있는 상황이다. 따라서 이와같은 기술의 개발을 가능한 빨리 원천적으로 개발하는 것만이 차후세대에 있어서 국가 경제 및 산업적으로 진정한 도움을 줄 수 있으므로 본 기술개발은 필요하며 또한 시급한 실정이다.