일반기술

레지스트 애싱과 리프트-오프 방식을 이용한 나노 규격구조물 형성방법

* 원리 및 구성 본 기술은 PR 애싱(ASHING) 및 리프트-오프(LIFT-OFF) 방식을 이용하여 나노 규격을 갖는 다양한 형태 · 물질로 구성된 구조물을 제한 없이 형성하는 방법에 관한 것이다. 절연체의 상부에 포토레지스트로 패터닝할 구조물을 형성하는 공정; 상기 절연체 상부에서 포토레지스트로 형성한 구조물의 양쪽 간격을 플라즈마 애싱 공정을 통하여 포토레지스트의 두께와 양 구조물 사이의 폭을 수 나노미터까지 줄이는 공정; 및 상기 포토레지스트 및 절연체 위에 구조물로 형성할 물질층을 형성한 후, 리프트-오프 방식으로 상기 포토레지스트 상부에 존재하는 물질층을 제거하여 나노 규격의 구조물을 형성하는 공정을 포함하여 이루어진 것을 특징으로 한다.* 배경 PR 애싱 및 리프트-오프 방식을 이용하여 나노 규격을 갖는 다양한 형태,물질로 구성된 구조물을 제한없이 형성할 수 있는 대량생산용 기술을 개발하고자 하였다* 중요성 및 독창성 기존의 반도체 공정에서 즉시 적용 및 응용이 가능하며, 새로운 고가의 장비나 추가 물질 및 추가 공정 없이 수 나노미터 크기의 패턴을 형성할 수가 있다.* 적용제품 및 경쟁제품 - 반도체 공정중 수 나노미터에서 수십 나노미터 크기를 갖는 반도체 제품- 나노미터 크기의 트랜지스터 구현 및 바이오전자 제품* 주요 적용 제품 나노미터 크기를 갖는 반도체 공정기술* 특징 및 장점 - 첫째, PR 애싱 및 리프트-오프 방식을 이용하여 나노 규격을 갖는 다양한 형태,물질로 구성된 구조물을 제한없이 형성할 수 있는 대량생산용 기술로 기존의 반도체 공정에서 즉시 적용 및 응용이 가능하다.- 둘째, 새로운 고가의 장비나 추가 물질 및 추가 공정 없이 수 나노미터 크기의 패턴을 형성할 수가 있다.