일반기술

금속 화합물을 이용한 탄소나노튜브 전자방출원의 제조방법

본 발명은 마이크로미터(㎛)에서 나노미터(㎚) 크기의 금속, 합금 및 금속 화합물 등을 이용하여 탄소나노튜브를 기판 위에서 함께 혼합하거나 탄소나노튜브 박막 기판 위에 표면 도포하고 용융시켜서 탄소나노튜브와의 화합물을 만든 후, 열 및 플라즈마 후처리 등을 통하여 전자방출원을 제조하는 방법에 관한 것이다. 본 발명에 의한 탄소나노튜브 전자방출원은 탄소나노튜브와 기판과의 접착성 향상과 함께 튜브 외벽을 금속으로 에워싸고 있을 수도 있어서 팁의 수명 연장뿐만 아니라, 전계방출의 최적화를 위한 전처리 및 후처리 등의 조건을 확장시킬 수 있으며, 또한 금속, 합금 및 금속 화합물의 혼합 공정에 의한 줄(WIRE), 바(BAR) 및 평면(PLATE) 등의 여러 가지 형태를 가진 탄소나노튜브 전자방출원으로 이용할 수 있다.플라즈마 CVD, RTCVD 등의 방법에 의해 금속 기판위에 성장된 탄소나노튜브 박막에, 마이크로미터(㎛)에서 나노미터(㎚) 크기의 금속 분말을 도포하여 상기 탄소나노튜브와의 화합물을 형성하는 공정; 상기 탄소나노튜브 박막에 도포된 금속 분말을 암모니아 기체, 수소 기체 및 불활성 기체 분위기에서 고온 열처리하거나 플라즈마 후처리하여 용융시키는 공정; 및 상기 용융된 금속 분말을 매개로 상기 금속 기판과 탄소나노튜브가 접착되어 상기 탄소나노튜브 박막에 탄소 전자 방출층을 형성하는 공정을 포함하여 이루어진 것을 특징으로 하는 금속 화합물을 이용한 탄소나노튜브 전자방출원의 제조방법.