일반기술

질화갈륨계 수직구조 발광다이오드 및 그 제조방법

< 원리 및 기술 > 본 기술은 질화갈륨계 수직구조 발광다이오드 및 그 제조방법에 관한것으로, 더욱 상세하게는 P형 GAN을 활성층 하부에 형성하고 N형 GAN을 활성층 상부에 형성하여 광학적 손실을 최소화한 수직방향 전극구조를 형성하고, 상기 상부층 상부에 빛이 외부로 방출되는 효과를 극대화 하기 위해 러프니스(ROUGHNESS)를 형성하며, 상기 러프니스 상부에 발광다이오드의 동작전압을 감소시키기 위한 도전성 투명전도막(TCO)을 형성한 질화갈륨계 수직구조 발광다이오드 및 그 제조방법에 관한 것이다. < 배 경 >종래에 특허출원(출원번호:2002-0053653)에서 개시된 질화물반도체 발광소자는 저저항의 측면이나 전자 스프레딩 효과의 측면에서는 양호한 소자이나, p형 접합층을 금속물질을 사용하며 횡방향의 전극배열로 인한 발광면적의 손실 때문에 재로의 활용도가 낮은, 또는 광학적 손실이 크다는 문제점이 발생한다.< 중요성 및 독창성 >상기와 같은 종래의 문제점을 해결하기 위해 안출된 것으로, 본 발명의 목적은 p형 GaN을 활성층 하부에 형성하고 n형 GaN을 활성층 상부에 형성하여 활성층 내에서 생성된 빛이 불투명 금속전극에 의해 손실되는 문제점을 개선하고, 상기 상부층에 빛이 외부로 방출되는 효과를 극대화 하기 위해 러프니스(roughness)를 형성하며, 성기 러프니스 상부에 발광다이오드의 동작전압을 감소시키기 위한 도전성 투명전도막(TCO)을 형성한 질화갈륨계 수직구조 발광다이오드를 제공하는데 그 고유한 독창성이 있다고 할 수 있다.*기술특징기판의 상부에 형성되며 P형 GAN으로 이루어진 하부층과; 상기 하부층의 상부에 형성되며 GAN으로 이루어진 활성층과 상기 활성층의 상부에 적어도 N형 GAN층을 포함하여 이루어진 상부층 및 상기 상부층 상부에 형성되는 도전성 산화박막층 을 포함하여 구성된 것을 특징으로 하는 질화갈륨계 수직구조 발광다이오드*특징 및 장점본 기술은 p형 GaN을 활성층 하부에 형성하고 n형 GaN을 활성층 상부에 형성하여 활성층내에서 생성된 빛이 불투명 금속전극에 의해 손실되는 문제점을 개선하고, 상기 n형 GaN으로 이루어진 상부층에 빛이 외부로 방출되는 효과를 극대화하기 위해 러프니스를 형성하며, 또한 러프니스 상에 도전성 투명전도막을 형성하여 발광다이오드의 동작전압을 감소시키는 장점이 있다.