일반기술

유기금속 화학증착법에 의한 레이저용 산화아연계 박막의 제조 방법

본 기술은 유기금속 화학증착법에 의한 레이저용 산화아연계 박막의 제조방법에 관한 것으로서, 아연-함유 유기금속 및 산소-함유 기체 또는 유기물을 별개의 라인을 통해 반응기에 주입시키면서 산소-함유 기체 또는 유기물의 주입라인을 기재 표면 중앙 지점으로부터 1 내지 5cm 앞에 위치시키고, 1 내지 10torr의 압력, 250 내지 700℃의 내부온도 및 냉벽(cold wall) 반응기 조건하에서 기재 위에 막을 성장시키는 것을 포함하는 본 발명에 따른 유기금속 화학증착법에 의하면, 우수한 광학 특성을 갖는 레이저용 산화아연계 박막을 제조할 수 있다.넓은 면적의 증착이 가능하여 대량생산에 유리하며 용이한 도핑 조절 및 저온 증착과 같은 잇점을 갖는 유기금속 화학증착법(MOCVD)을 이용하여 결정성 및 광특성이 우수한 산화아연 박막을 대량으로 성장시키기 위한 연구가 진행되고 있으나, 아직까지는 MBE 또는 PLD로 성장시킨 박막에 비해 그 품질이 많이 떨어져 단지 투명전극용 옥사이드 필름을 증착하는 수준에 머물러 있을 뿐 MOCVD에 의한 레이저용 산화아연 박막의 제조는 이루어지지 않고 있는 실정이다.그러나 본 기술에 따라 형성된 산화아연계 막은 결정형 뿐만 아니라 무정형 기재 위에서도 c-축 배향성을 지닌 결정성이 우수한 박막으로 존재하고 실온에서 강한 자외선 흡수 피크 및 매우 좁은 광발광 피크를 보여주는 등 우수한 광학 특성을 가져 다양한 광전자 소자에 발광체 또는 수광소자로서 효율적으로 사용될 수 있으며, 본 기술에 의하면 이러한 우수한 특성의 레이저용 산화아연 박막을 대량으로 제조할 수 있다.