일반기술

나오븀 또는 탄탈륨 산화물 박막 제조용 전구체

Niobium(Nb)과 Tantalum(Ta) oxide 박막 제조용 새로운 MOCVD 전구체(precursor)로서 다음과 같은 조성을 가지는 착물을 합성하였다. 중심 금속은 Nb과 Ta이며, 리간드는 3개의 alkoxide와 1개의 3자리 리간드(tridentate ligand)인 N-alkoxy-β-ketoiminate, N-alkoxy-β-diketiminate, N-alkoxy-β-thioketoiminate 중의 하나를 가지며 이 리간드의 치환기들은 H, Hydrocarbyl, aryl, fluorinated carbyl로서 서로 같을 수도 있고 다를 수도 있다. 현 발명된 화합물들은 CVD 공정에 사용되는 금속화합물의 열적 안정성과 가수분해에 대한 안정성을 향상시켰으며, 상당한 휘발성을 가진 액체상 화합물로서 보다 낮은 온도에서 보다 빠른 속도로 금속산화물을 생성하였다.현 발명의 화합물은 가수분해에 대한 취약성 및 열적 안정성이 현저히 개선되어 저장 및 다른 원천물질과의 부반응 가능성에서 성능개선이 있고 높은 재현성과 박막생성속도의 정확한 제어가 가능하다. 현 발명의 화합물들은 가수분해에 대한 취약성 및 열적 안정성이 개선되어 저장 및 다른 원천 물질과의 부반응 가능성이 획기적으로 개선되었으며 높은 재현성과 박막생성속도를 bubbler의 온도를 조절함으로써 정확히 제어할 수 있는 특성을 보임에 따라 고품질의 박막 생성을 통한 고집적 강유전체 비휘발성 메모리 생산이 가능하게 하는데 기여할 것이다. Ta2O5는 1Gb 이상의 memory에서 condensor용 기본물질로 채택되고 있다. 따라서 이 분야에서 기업화의 전망이 크다고 할 것이다.