일반기술

진공리소그래피 공정 및 레지스트 박막

본 발명은 종래의 광 리소그래피 공정은 웨이퍼 이동 중 기판의 오염이 쉽고, 웨이퍼의 대형화로 인해 균일한 레지스트 막의 형성이 곤란하고, 강한 용매에 의해 레지스트 막의 깨끗한 미세 패턴을 구현하는데 어려움 및 더욱이 기가 디램시대에 접어들면서 광의 회절 현상으로 인한 나노미터 단위의 패턴을 형성하는데 어려움을 해결하고자 한다.본 발명은 상기 문제점을 해결하기 위한 진공 리소그래피 공정 및 그 공정 중에 제조되는 레지스트 막에 관한 것으로, 플라즈마 처리를 이용한 기판 세척 공정, 플라즈마 중합을 이용한 레지스트 막의 제조 공정, 전자 빔을 사용하는 조사 공정, 플라즈마 에칭을 이용한 레지스트 막의 현상 공정 및 레지스트 막의 제거 공정으로 이루어지는 것을 특징으로 한다. 본 발명의 진공 리소그래피 공정은 상기 모든 공정들이 단일 챔버 내에서 건식으로 수행되어 전체 반도체 공정의 신뢰도를 향상시킬 수 있으며, 상기 공정 중에 제조되는 플라즈마 중합막은 나노미터 단위의 패턴 구현에 적합한 레지스트 막이다.본 발명은 플라즈마 처리를 이용한 기판 세척공정, 플라즈마 중합을 이용한 레지스트 막의 제조 공정, 전자 빔을 사용하는 조사공정, 플라즈마 에칭을 이용한 레지스트 막의 현상공정 및 레지스트 막의 제거공정을 단일 챔버내에서 이루어지는 것을 특징으로 하는 진공 리소그래피공정을 특징으로 한다. 또한, 본 발명은 상기 진공 리소그래피 공정 중에 제조되는 나노 미터 단위의 패턴 구현에 적합한 레지스트 막을 특징으로 한다.본 발명은 종래의 습식 리소그래프 공정을 단일 진공 챔버내에서 행할 수 있는 건식의 진공 리소그래피 공정으로 대체하여 리소그래피 전공정의 신뢰도를 향상시키고, 이로 인하여 웨이퍼의 수율을 향상시킬 수 있을 뿐만 아니라 플라즈마 중합과 플라즈마 에칭을 이용할 수 있다.본 발명은 새로운 진공 리소그래피 공정을 제공함과 동시에 진공 리소그래피 공정에 적합한 레지스트 막을 제공함으로써 이 분야에 대한 그 시장성은 매우 크다.