일반기술

헤테로상 처리의 “IN SITU” 조절을 위한 레이저 종합시설

우리는 “기체-고체” 형태나 “액체-고체” 형태의 헤테로상 처리를 조절하기 위한 광범위 “IN SITU” 레이저 종합시설을 제안한다. 이 종합시설은 동시에 고체표면 원소, 상태 구성, 그 고체와 상호작용하는 기체(액체) 매체의 구성 등에 대한 온라인 제어를 제공한다. 오늘날 이용되고 있는 방법은 처리 비용이 높아 도입기간이 길어야 한다. 게다가, 자원 시험 기간이 길기 때문에 헤테로 상태의 시스템에서 일어나는 반응 과정의 메커니즘을 빠른 속도로 묘사할 수 없다. 주어진 새로운 개발 방법은 레이저 분광계(즉, 방사선 분석과 로만 분광계)에 대한 여러 가지 시험된 방법을 결합한 것이다. 주어진 종합시설은 레이저 분석에서 전문성을 가지고 있으므로 위의 결점이 없다. 이 종합시설을 이용하면 사전 표본 선택 과정 없이 작동 중에 직접 헤테로상의 처리를 제어할 수 있다. 종합시설은 새로운 기술 및 물질의 개발에 응용할 수 있을 뿐 아니라, 외부의 물리화학적 처리에도 사용할 수 있다. 즉, 기술적 파라미터의 원격 제어가 필요할 때(전기공학, 화학공업, 야금학, 엔진제조 등)는 언제나 사용할 수 있는 것이다.

기술정보

기술분류
물리학 > 기타 광학
보유기관
특허법인충정
기술유형
일반기술
등록일
2000-04-24
데이터 갱신일
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상세설명

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